IDT, 고도분리·저손실·고선형성 RF 제품 선보여 전송 일그러짐, 삽입손실 적어 최신 RF 설계 모든 니즈 충족 IDT는 고도분리, 저손실, 고선형성 브로드밴드 RF 스위치 두 제품을 선보였다고 밝혔다.최근 보도된 자료에서 50MHz에서 8천MHz 영역에서 가동되는 IDT® F2932와 F2933은 실리콘을 기반으로 일그러짐이 낮은 50ohm으로 단극 쌍투형(SPDT) 스위치이며 산업 표준 4X4mm 16-pin QFN 패키지와 호환성 고진폭 레이더, 일반용도 스위칭 등에 이상적인 제품이라고 설명했다.제품은 4GHz에서 66dB 고도분리, 15dBm, 1MHz 채널 공간에서 64dBm의 저왜곡 수치로, 0.93dB의 삽입손실, 35dBm의 P1dB 등의 소음측정 수준을 보여주고 기존 유저들이 많이 이용하는 GaAs 기반 스위치에 비해 더 나은 나은 RF 성능, 간편해진 통합 및 낮은 토탈 솔루션 비용 등으로 장점을 부각했다고 설명을 덧붙였다.크리스 스테펜 IDT RF 디비전 총지배인은 보도된 자료에서 전송 일그러짐이 낮고 삽입손실이 적어 다양한 고도분리 적용에 높은 성능을 구현해 최신 RF 설계의 모든 니즈를 충족한다고 전했다.

IDT, 고도분리·저손실·고선형성 RF 제품 선보여

전송 일그러짐, 삽입손실 적어 최신 RF 설계 모든 니즈 충족

기사입력 2016-05-29 05:02:54

[산업일보]
IDT는 고도분리, 저손실, 고선형성 브로드밴드 RF 스위치 두 제품을 선보였다고 밝혔다.

최근 보도된 자료에서 50MHz에서 8천MHz 영역에서 가동되는 IDT® F2932와 F2933은 실리콘을 기반으로 일그러짐이 낮은 50ohm으로 단극 쌍투형(SPDT) 스위치이며 산업 표준 4X4mm 16-pin QFN 패키지와 호환성 고진폭 레이더, 일반용도 스위칭 등에 이상적인 제품이라고 설명했다.

제품은 4GHz에서 66dB 고도분리, 15dBm, 1MHz 채널 공간에서 64dBm의 저왜곡 수치로, 0.93dB의 삽입손실, 35dBm의 P1dB 등의 소음측정 수준을 보여주고 기존 유저들이 많이 이용하는 GaAs 기반 스위치에 비해 더 나은 나은 RF 성능, 간편해진 통합 및 낮은 토탈 솔루션 비용 등으로 장점을 부각했다고 설명을 덧붙였다.

크리스 스테펜 IDT RF 디비전 총지배인은 보도된 자료에서 전송 일그러짐이 낮고 삽입손실이 적어 다양한 고도분리 적용에 높은 성능을 구현해 최신 RF 설계의 모든 니즈를 충족한다고 전했다.