원거리 플라즈마 원자층 증착기술 개발 테라급의 고집적 나노소자를 만들 때 원자 두께만큼 얇은 막을 쌓을 수 있는 기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다.한양대학교 전형탁 교수 연구팀은 한국표준과학연구원 조만호 박사팀과 공동으로 차세대 나노 CMOS 소자에 적용할 수 있는 원거리 플라즈마 원자층 증착(ALD) 기술 개발에 성공했다고 23일 밝혔다.전 교수 연구팀이 개발한 원거리 플라즈마 ALD 기술과 이를 이용한 원자층 증착 장치는 플라즈마 발생지역과 기판 사이의 간격을 기존의 방식보다 크게 해 플라즈마 이온에 의한 영향을 최소화함으로써 기판과 박막의 손상을 개선했다.연구팀은 “이 장치로 실험한 결과 직접 플라즈마 방식에 비해 전자이동도가 50% 향상돼 앞으로 이 기술이 테라급 나노 CMOS소자를 제작하는데 필수적인 기술이 될 것”이라고 기대했다.이번 연구성과는 Applied Physics Letters(APL) 8월호에 게재됐으며 미국 진공학회가 주최하는 ALD 2005학회에서 발표할 계획이다.한편, VLSI 리서치에 의하면 전세계 ALD 시장은 2005년 7억 3천만달러로 매년 100% 이상의 성장률을 보여 왔고 2006년경에는 15억달러 정도로 성장할 것이며 2010년에는 50억 달러 이상의 시장이 될 것으로 전망되고 있다.미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)$$$$$

원거리 플라즈마 원자층 증착기술 개발

기사입력 2005-08-24 09:56:00

[산업일보]
테라급의 고집적 나노소자를 만들 때 원자 두께만큼 얇은 막을 쌓을 수 있는 기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다.

한양대학교 전형탁 교수 연구팀은 한국표준과학연구원 조만호 박사팀과 공동으로 차세대 나노 CMOS 소자에 적용할 수 있는 원거리 플라즈마 원자층 증착(ALD) 기술 개발에 성공했다고 23일 밝혔다.

전 교수 연구팀이 개발한 원거리 플라즈마 ALD 기술과 이를 이용한 원자층 증착 장치는 플라즈마 발생지역과 기판 사이의 간격을 기존의 방식보다 크게 해 플라즈마 이온에 의한 영향을 최소화함으로써 기판과 박막의 손상을 개선했다.

연구팀은 “이 장치로 실험한 결과 직접 플라즈마 방식에 비해 전자이동도가 50% 향상돼 앞으로 이 기술이 테라급 나노 CMOS소자를 제작하는데 필수적인 기술이 될 것”이라고 기대했다.

이번 연구성과는 Applied Physics Letters(APL) 8월호에 게재됐으며 미국 진공학회가 주최하는 ALD 2005학회에서 발표할 계획이다.

한편, VLSI 리서치에 의하면 전세계 ALD 시장은 2005년 7억 3천만달러로 매년 100% 이상의 성장률을 보여 왔고 2006년경에는 15억달러 정도로 성장할 것이며 2010년에는 50억 달러 이상의 시장이 될 것으로 전망되고 있다.

미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)

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