삼성전자, 60나노 2기가 원낸드 개발 한 번에 4KByte 처리, 기존 원낸드 비해 효율 2배 27일 삼성전자는 60 나노 초미세 나노 공정을 적용한 2기가 비트 원낸드를 개발했다고 밝혔다. 원낸드(OneNAND™)는 읽기 속도가 빠른 노어 플래시와 쓰기 속도가 뛰어나고 대용량 구현이 가능한 낸드 플래시의 장점을 융합한 차세대 퓨전 반도체이다. 이는 여러 모바일 제품에 적용, 우수성을 인정받아 왔으며 PC, 디지털 카메라, 메모리 카드, 디지털 TV 등 다양한 분야에 응용되며 그 시장을 넓혀 가고 있다. 기존 원낸드는 쓰기 동작 시 한 번에 2KByte 단위로 데이터 처리가 가능했지만 이번에 개발된 2기가 제품은 한 번에 4KByte까지 처리가 가능하다. 또한 여러 개의 칩을 적층함으로써 고용량 제품 구현이 가능하다. 즉, 2기가비트 원낸드 8개를 쌓으면 초당 최대 136MByte까지 쓰기 속도 향상이 가능하다.이에 따라 고집적화가 가능해지면서 모바일 제품 등의 저장 메모리로 널리 사용돼 온 원낸드는 앞으로 버퍼 메모리로도 본격적으로 활용될 것으로 보인다. 또한 응용처 확대와 신규 시장 창출이 용이할 것으로 기대를 모으고 있다. 미디어다아라 전은경 기자(miin486@daara.co.kr)$$$$$

삼성전자, 60나노 2기가 원낸드 개발

한 번에 4KByte 처리, 기존 원낸드 비해 효율 2배

기사입력 2006-06-27 18:08:04

▲ 삼성전자가 개발한 60나노 2기가 원낸드

[산업일보]
27일 삼성전자는 60 나노 초미세 나노 공정을 적용한 2기가 비트 원낸드를 개발했다고 밝혔다.

원낸드(OneNAND™)는 읽기 속도가 빠른 노어 플래시와 쓰기 속도가 뛰어나고 대용량 구현이 가능한 낸드 플래시의 장점을 융합한 차세대 퓨전 반도체이다. 이는 여러 모바일 제품에 적용, 우수성을 인정받아 왔으며 PC, 디지털 카메라, 메모리 카드, 디지털 TV 등 다양한 분야에 응용되며 그 시장을 넓혀 가고 있다.

기존 원낸드는 쓰기 동작 시 한 번에 2KByte 단위로 데이터 처리가 가능했지만 이번에 개발된 2기가 제품은 한 번에 4KByte까지 처리가 가능하다. 또한 여러 개의 칩을 적층함으로써 고용량 제품 구현이 가능하다. 즉, 2기가비트 원낸드 8개를 쌓으면 초당 최대 136MByte까지 쓰기 속도 향상이 가능하다.

이에 따라 고집적화가 가능해지면서 모바일 제품 등의 저장 메모리로 널리 사용돼 온 원낸드는 앞으로 버퍼 메모리로도 본격적으로 활용될 것으로 보인다. 또한 응용처 확대와 신규 시장 창출이 용이할 것으로 기대를 모으고 있다.

미디어다아라 전은경 기자(miin486@daara.co.kr)

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