하이닉스반도체, 이천 사업장에 300mm 연구개발 팹 개소 오는 10월 첫 연구개발 웨이퍼 투입 예정 하이닉스반도체(대표 우의제)는 26일, 기존 팹의 성공적인 리모델링을 통해 확보한 노하우를 바탕으로 300mm 연구개발 팹(FAB)인 ‘R3’를 이천 사업장에 개소하고 본격적인 300mm 시대를 열었다고 밝혔다.하이닉스반도체는 그동안 200mm R&D 팹에서 제품을 개발한 후 300mm 팹에서 생산할 경우 팹의 공정조건이 서로 달라 제품 개발이 다소 지연됐으며, 선행 공정기술 개발을 위한 200mm 장비가 지원되지 않아 신제품 개발에 대한 효율성이 떨어지는 어려움을 안고 있었다.하지만 이번 R3 R&D 팹 개소를 통해 이런 문제점을 제거하고 제품 개발을 보다 신속하게 하는 한편, 50 나노급 이하 D램 및 낸드 플래시 신제품 개발에도 더욱 박차를 가할 수 있게 됐다고 설명했다. 또한 300mm 시장을 선도함에 따라 원가 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다고 덧붙였다.하이닉스반도체는 지난 1월 R3 팹 건설을 위해 TFT를 구성했으며, 6월부터 200mm 팹이었던 이천 M6를 개조한 후 불과 3개월만인 8월에 약 8천5백여 평 규모의 300mm 팹으로 개조해 시험운전 및 안전검사를 완료했다. 이어 9월에는 첫 장비를 입고했으며, 오는 10월에는 첫 연구개발 웨이퍼를 투입할 예정이다.한편, 하이닉스반도체는 본격적인 300mm 웨이퍼 양산 시점에 맞춰 STMicro사와 합작으로 건설한 중국공장에 대한 준공식을 오는 10월 10일 중국 강소성 무석시에서 갖는다고 밝혔다. 미디어다아라 이경옥 기자(withok2@daara.co.kr)$$$$$

하이닉스반도체, 이천 사업장에 300mm 연구개발 팹 개소

오는 10월 첫 연구개발 웨이퍼 투입 예정

기사입력 2006-09-26 15:12:56

[산업일보]
하이닉스반도체(대표 우의제)는 26일, 기존 팹의 성공적인 리모델링을 통해 확보한 노하우를 바탕으로 300mm 연구개발 팹(FAB)인 ‘R3’를 이천 사업장에 개소하고 본격적인 300mm 시대를 열었다고 밝혔다.

하이닉스반도체는 그동안 200mm R&D 팹에서 제품을 개발한 후 300mm 팹에서 생산할 경우 팹의 공정조건이 서로 달라 제품 개발이 다소 지연됐으며, 선행 공정기술 개발을 위한 200mm 장비가 지원되지 않아 신제품 개발에 대한 효율성이 떨어지는 어려움을 안고 있었다.

하지만 이번 R3 R&D 팹 개소를 통해 이런 문제점을 제거하고 제품 개발을 보다 신속하게 하는 한편, 50 나노급 이하 D램 및 낸드 플래시 신제품 개발에도 더욱 박차를 가할 수 있게 됐다고 설명했다. 또한 300mm 시장을 선도함에 따라 원가 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다고 덧붙였다.

하이닉스반도체는 지난 1월 R3 팹 건설을 위해 TFT를 구성했으며, 6월부터 200mm 팹이었던 이천 M6를 개조한 후 불과 3개월만인 8월에 약 8천5백여 평 규모의 300mm 팹으로 개조해 시험운전 및 안전검사를 완료했다. 이어 9월에는 첫 장비를 입고했으며, 오는 10월에는 첫 연구개발 웨이퍼를 투입할 예정이다.

한편, 하이닉스반도체는 본격적인 300mm 웨이퍼 양산 시점에 맞춰 STMicro사와 합작으로 건설한 중국공장에 대한 준공식을 오는 10월 10일 중국 강소성 무석시에서 갖는다고 밝혔다.

미디어다아라 이경옥 기자(withok2@daara.co.kr)

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