삼성전자, 세계최초 3D-TSV D램 모듈 개발

[산업일보]
삼성전자가 세계 최초로 3D-TSV(Through Silicon Via)를 적용한 8GB(기가바이트) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM을 개발했다.

삼성전자는 40나노급 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 3D-TSV 기술로 적층한 칩을 탑재해 8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module) 제품으로 개발했으며, 지난 10월 고객사 서버에 장착해 제품 성능 테스트를 완료했다.

3D-TSV 기술은 실리콘 웨이퍼를 수십 ㎛(마이크로미터) 두께로 얇게 만든 칩에 직접 구멍을 뚫고, 동일한 칩을 수직으로 적층하여 관통 전극으로 연결한 최첨단 패키징 기법이다.

이 패키징 방법은 쌓아 올린 칩을 와이어로 연결하는 기존 와이어 본딩(Wire bonding) 방식에 비해 빠르게 동작하는 것은 물론 칩의 두께를 줄이고 소비전력도 줄일 수 있다.

또한, 기존 제품에 비해 2~4배 큰 대용량을 구현할 수 있어, 서버에 탑재하는 메모리 용량을 늘여 서버 시스템의 성능을 최소 50% 이상 향상시킬 수 있다.

기존 2Gb 칩을 와이어 본딩 방식으로 적층한 대용량 RDIMM(4-Rank) 제품은 서버에서 800Mbps 속도로 동작하는데 비해, 3D-TSV 방식으로 적층한 대용량 RDIMM의 동작속도는 1,333Mbps로, 속도를 70% 향상시킬 수 있고, 소비 전력도 40% 이상 절감할 수 있다.

삼성전자는 내년 이후 4Gb 이상 대용량 DDR3 D램에도 3D-TSV 기술을 적용해, 32GB 이상 대용량 서버용 메모리 제품을 확대해 나갈 예정이다.

또한, 서버 업체는 물론 CPU, 컨트롤러 업체들과의 협력을 강화해 3D-TSV 서버 모듈 제품의 시장 기반을 더욱 넓혀 나갈 계획이다.

삼성전자 반도체사업부 메모리 상품기획팀 김창현 전무는 “2008년에 3D-TSV 적층 칩을 개발한 데 이어, 이번에 서버용 메모리 모듈을 개발함으로써 고객들이 최고 성능의 친환경 서버를 개발하는데 크게 기여할 수 있게 됐다”며, “앞으로도 3D-TSV 기술 기반의 대용량 메모리 솔루션을 지속적으로 출시해 고성능 서버 시장의 성장을 견인하는 그린 메모리 시장을 주도해 나갈 것”이라고 밝혔다.