KEC, 쇼트키 배리어 다이오드 개발 성공 300Mhz 이상 고주파수 영역에서 고속 스위칭 동작 가능 KEC(대표 곽정소)는 27일 국내 최초로 고주파 쇼트키 배리어 다이오드 국산화 개발에 성공했다고 밝혔다.쇼트키 배리어 다이오드(SBD ; Schottky Barrier Diode)는 일반 다이오드와 달리 금속과 반도체의 접합으로 이루어져 고속 동작이 가능하다.KEC가 개발에 성공한 제품은 10~100pF에서 1~3pF로 용량 특성을 극소로 낮춰 300Mhz 이상의 높은 주파수 영역에서 경쟁사 제품보다 고속 스위칭 동작이 가능하다고 회사측은 설명했다. 또한 초박형 표면실장형인 TFSC 패키지(0.8×0.6×0.38mm)에 탑제함으로써 이동기기의 회로 설계시 실장면적을 최소화할 수 있다고 언급했다. KEC는 이 제품에 대한 양산체제를 오는 8월말까지 갖추고, 9월부터 본격 출시할 계획이라고 말했다.미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)$$$$$

KEC, 쇼트키 배리어 다이오드 개발 성공

300Mhz 이상 고주파수 영역에서 고속 스위칭 동작 가능

기사입력 2005-07-27 17:20:00

[산업일보]
KEC(대표 곽정소)는 27일 국내 최초로 고주파 쇼트키 배리어 다이오드 국산화 개발에 성공했다고 밝혔다.

쇼트키 배리어 다이오드(SBD ; Schottky Barrier Diode)는 일반 다이오드와 달리 금속과 반도체의 접합으로 이루어져 고속 동작이 가능하다.

KEC가 개발에 성공한 제품은 10~100pF에서 1~3pF로 용량 특성을 극소로 낮춰 300Mhz 이상의 높은 주파수 영역에서 경쟁사 제품보다 고속 스위칭 동작이 가능하다고 회사측은 설명했다. 또한 초박형 표면실장형인 TFSC 패키지(0.8×0.6×0.38mm)에 탑제함으로써 이동기기의 회로 설계시 실장면적을 최소화할 수 있다고 언급했다.

KEC는 이 제품에 대한 양산체제를 오는 8월말까지 갖추고, 9월부터 본격 출시할 계획이라고 말했다.

미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)

KEC, 쇼트키 배리어 다이오드 개발 성공

300Mhz 이상 고주파수 영역에서 고속 스위칭 동작 가능

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