STM, 20A 및 30A 파워 MOSFET 출시 고전류 DC-DC 컨버터의 전력 밀도 및 안정성 향상 구현 11일, ST마이크로일렉트로닉스(이하 STM)는 고전류 파워 서플라이용 부품의 최고 열 성능 및 전력 밀도 향상을 제공하는 금속 마감 첫 번째 파워 디바이스(모델명 STK800/STK850)를 발표했다. 이번에 출시된 STK800 및 STK850은 각각 20A 및 30A 파워 MOSFET로서, 표준 SO-8 패키지와 동일한 5mm x 6mm 보드 공간만 필요하며 최고/최저 열 소비 경로를 갖춰 측면은 0.8mm에 불과하다.이 디바이스들은 ST의 STripFET 기술을 적용해 생산된다. STripFET 기술은 크게 늘어난 셀 밀도와 더 작아진 셀 크기를 바탕으로 RDS(on) 값 및 손실을 크게 낮추면서 사용하는 실리콘 면적을 줄인다. 10V에서 20A STK800의 일반RDS(on)은 6.0m이며, 30A STK850은 2.9m이다. 이 패키지는 접합부 대 케이스 (junction-to-case) 열 저항이 낮고 접합부 온도역시 더 낮아졌기 때문에 두 MOSFET의 RDS(on) 값을 낮출 수 있다고 STM은 전했다.STK800은 정전용량 및 총 게이트 전하가 낮기 때문에 비고립형 DC-DC 스텝 다운 컨버터의 컨트롤 FET에 적합하며, RDS(on)이 낮은 STK850은 동기식 FET에 어울리는 솔루션이다. 이 제품들은 작동 온도가 낮아 효율성 및 수명 안정성을 향상시킬 것으로 기대된다. 미디어다아라 이창민 기자(lcm7575@daara.co.kr)$$$$$

STM, 20A 및 30A 파워 MOSFET 출시

고전류 DC-DC 컨버터의 전력 밀도 및 안정성 향상 구현

기사입력 2006-05-11 19:37:46

[산업일보]
11일, ST마이크로일렉트로닉스(이하 STM)는 고전류 파워 서플라이용 부품의 최고 열 성능 및 전력 밀도 향상을 제공하는 금속 마감 첫 번째 파워 디바이스(모델명 STK800/STK850)를 발표했다.

이번에 출시된 STK800 및 STK850은 각각 20A 및 30A 파워 MOSFET로서, 표준 SO-8 패키지와 동일한 5mm x 6mm 보드 공간만 필요하며 최고/최저 열 소비 경로를 갖춰 측면은 0.8mm에 불과하다.

이 디바이스들은 ST의 STripFET 기술을 적용해 생산된다. STripFET 기술은 크게 늘어난 셀 밀도와 더 작아진 셀 크기를 바탕으로 RDS(on) 값 및 손실을 크게 낮추면서 사용하는 실리콘 면적을 줄인다. 10V에서 20A STK800의 일반RDS(on)은 6.0m이며, 30A STK850은 2.9m이다. 이 패키지는 접합부 대 케이스 (junction-to-case) 열 저항이 낮고 접합부 온도역시 더 낮아졌기 때문에 두 MOSFET의 RDS(on) 값을 낮출 수 있다고 STM은 전했다.

STK800은 정전용량 및 총 게이트 전하가 낮기 때문에 비고립형 DC-DC 스텝 다운 컨버터의 컨트롤 FET에 적합하며, RDS(on)이 낮은 STK850은 동기식 FET에 어울리는 솔루션이다. 이 제품들은 작동 온도가 낮아 효율성 및 수명 안정성을 향상시킬 것으로 기대된다.

미디어다아라 이창민 기자(lcm7575@daara.co.kr)

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