하이닉스반도체, 세계 최초 60나노급 최고속 DDR2 모듈 개발

[산업일보]
하이닉스반도체(대표 우의제, www.hynix.co.kr)는 세계 최초로 나노급 1Gb DDR2 D램을 사용해 800MHz 세계 최고속 메모리 모듈을 개발했다고 18일 밝혔다.

지난 10월 모듈의 기반이 되는 60나노급 D램 제품에 대해 업계 최초로 인텔 인증을 받은 것에 이어, 60나노급 DDR2 모듈에 대해서도 업계 최초로 인텔의 인증과정인 AVL(Advanced Validation Lab)의 테스트를 이미 통과했으며, 최종 인증 결과는 내년 초에 공식적으로 발표될 예정이다. 이로써 하이닉스반도체는 최첨단 반도체 제조 기술과 미세회로 공정 기술에 대한 앞선 기술력을 대내외적으로 다시 한번 입증하게 됐다.

이번에 개발된 1GB DDR2 모듈은 업계 최고속인 800MHz와 667MHz의 동작속도를 구현할 수 있는 제품 두 종으로 초고속 데이터 전송이 가능하다. 또한 현재까지 인증을 받은 제품 중 가장 미세한 공정인 60나노급 공정 기술이 적용된 제품으로 기존 80나노에 비해 생산성을 50%나 높일 수 있어 원가 경쟁력을 크게 향상시킬 것으로 보인다.

또한 ‘3차원 입체 트랜지스터’와 ‘3층 금속 배선 기술’이 사용돼 저장능력과 속도를 높인 점도 특징이다. ‘3차원 입체 트랜지스터’는 트랜지스터의 동작을 보다 안정적으로 만들기 위해 입체적으로 설계함으로써 누설 전류를 줄여 데이터 저장능력을 향상시키는 기술이고, ‘3층 금속 배선 기술’은 칩의 금속 배선 층을 기존보다 한 층 더 늘려 3층으로 만들어 속도를 향상시키는 기술이다.

하이닉스반도체 개발생산총괄 소자 담당 홍성주 상무는 “이러한 첨단 기술들을 통해 회로가 극미세화 되더라도 안정적으로 동작할 수 있어, 공정 축소에 따른 제품의 신뢰성 획득의 어려움도 해결하였다”고 밝혔다.

이번에 개발된 제품은 내년 상반기부터 대량 생산될 예정이며, 최고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 PC용 D램, 그래픽 D램, 모바일 D램에 확대 적용될 수 있어 하이닉스반도체의 제품 경쟁력을 더욱 확고히 할 전망이다.




미디어다아라 고정태 기자(jazzful@daara.co.kr)