페어차일드반도체, N-채널 MOSFET 발표 페어차일드 반도체는 최대 8kV ESD(HBM) 전압 보호를 제공하는 고효율 N-채널 MOSFET의 새로운 시리즈를 출시했다고 21일 밝혔다. 이 제품의 시리즈는 시장에서 선보이는 기존 디바이스 대비 최대 90% 향상된 성능을 제공할 것으로 기대되고 있다. 이번에 출시된 FDS881XNZ 시리즈는 노트북 및 휴대 전화처럼 배터리 팩 보호 애플리케이션에 적합한 가장 최신 아키텍처를 지원한다. 페어차일드의 파워 트렌치(Power Trench) 공정을 이용한 낮은 RDS(ON) MOSFET 제품들은 전도 손실을 감소시키고 배터리 수명을 연장시킨다. 이 제품들은 강력한 애벌런치 및 하이 피크 전류 성능을 지원해 배터리팩에 손상을 줄 수 있는 예기치 못한 전압 스파이크를 견뎌냄으로써 시스템 안전을 보장하기 때문이다.FDS881XNZ 시리즈는 배터리의 전력 관리 및 부하 스위칭 요구조건에 따라 선택할 수 있는 다양한 옵션을 설계 엔지니어에게 제공하는데, FDS8812NZ는 고기능 노트북을 겨냥하며, 설계 엔지니어들이 노트북 컴퓨터에 높은 수준의 기능을 통합할 때 직면할 수 있는 열 관련 문제를 해결한다. 또 FDS8813NZ는 15인치 이상의 디스플레이의 특징을 갖춘 올-인-원 노트북에 매우 적합한 반면, FDS8817NZ는 저가형에서 중간층 모델뿐 만 아니라 서브-노트북 PC에서도 일반적으로 사용하는데 이상적이다.$$$$$

페어차일드반도체, N-채널 MOSFET 발표

기사입력 2007-08-21 10:36:15

[산업일보]
페어차일드 반도체는 최대 8kV ESD(HBM) 전압 보호를 제공하는 고효율 N-채널 MOSFET의 새로운 시리즈를 출시했다고 21일 밝혔다. 이 제품의 시리즈는 시장에서 선보이는 기존 디바이스 대비 최대 90% 향상된 성능을 제공할 것으로 기대되고 있다.

이번에 출시된 FDS881XNZ 시리즈는 노트북 및 휴대 전화처럼 배터리 팩 보호 애플리케이션에 적합한 가장 최신 아키텍처를 지원한다.

페어차일드의 파워 트렌치(Power Trench) 공정을 이용한 낮은 RDS(ON) MOSFET 제품들은 전도 손실을 감소시키고 배터리 수명을 연장시킨다. 이 제품들은 강력한 애벌런치 및 하이 피크 전류 성능을 지원해 배터리팩에 손상을 줄 수 있는 예기치 못한 전압 스파이크를 견뎌냄으로써 시스템 안전을 보장하기 때문이다.

FDS881XNZ 시리즈는 배터리의 전력 관리 및 부하 스위칭 요구조건에 따라 선택할 수 있는 다양한 옵션을 설계 엔지니어에게 제공하는데, FDS8812NZ는 고기능 노트북을 겨냥하며, 설계 엔지니어들이 노트북 컴퓨터에 높은 수준의 기능을 통합할 때 직면할 수 있는 열 관련 문제를 해결한다.

또 FDS8813NZ는 15인치 이상의 디스플레이의 특징을 갖춘 올-인-원 노트북에 매우 적합한 반면, FDS8817NZ는 저가형에서 중간층 모델뿐 만 아니라 서브-노트북 PC에서도 일반적으로 사용하는데 이상적이다.

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고정태 기자 jt@kidd.co.kr

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