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인피니언, 고전류 애플리케이션용 TO-Leadless 패키지 소개
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인피니언, 고전류 애플리케이션용 TO-Leadless 패키지 소개

감소된 패키지 저항 및 향상된 EMI 동작 제공

기사입력 2013-05-28 17:17:14
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인피니언, 고전류 애플리케이션용 TO-Leadless 패키지 소개


[산업일보]
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 감소된 패키지 저항, 대폭 소형화된 크기, 향상된 EMI 동작을 제공하는 새로운 TO-Leadless 패키지를 소개했다.

최신 세대의 OptiMOS™ MOSFET은 TO-Leadless 패키지로 제공돼 지게차, 경량 전기차(LEV), PoL(Point-of-Load), 통신 시스템 등 고전력 및 신뢰성이 필수적인 애플리케이션에 매우 적합하다.

새로운 TO-Leadless 패키지는 최대 300A에 이르는 고전류 애플리케이션을 위해 설계됐으며, 패키지 저항이 낮으므로 모든 전압 등급에서 최저 RDS(on)을 제공한다. 또한 D2PAK 7핀보다 패키지 크기가 60% 작아 매우 콤팩트한 디자인을 가능하게 한다. TO-Leadless는 풋프린트를 30% 줄여 지게차 등의 애플리케이션에서 더 작은 보드 공간을 차지한다. 높이가 50% 낮아 랙 서버나 블레이드 서버 등 컴팩트한 애플리케이션에도 매우 유용하다. 뿐만 아니라 낮은 패키지 기생 인덕턴스로 향상된 EMI 동작을 달성한다.

인피니언 테크놀로지스의 저전압 전력 변환 부문 선임 이사인 리차드 쿤칙(Richard Kuncic)씨는 “인피니언은 TO-Leadless를 이용함으로써 0.75mohm 60V MOSFET을 제공하는 최초의 반도체 회사가 됐다. 이 패키지는 지게차 애플리케이션에서 병렬 MOSFET의 수를 줄이고 전력 밀도를 높일 수 있도록 하며, 최대의 효율과 신뢰성을 필요로 하는 고전력 애플리케이션에 많은 이점을 제공한다”고 말했다.

뿐만 아니라 TO-Leadless는 50% 더 넓은 솔더 접촉 면적을 제공해 전류 밀도를 낮춘다. 따라서 높은 전류 수준 및 온도일 때 전자 이동을 방지하므로 신뢰성을 향상시킨다. 또한 다른 리드리스 패키지와 다르게 TO-Leadless는 주석 도금 그루브(홈) 리드를 채택함으로써 광학적 검사가 가능하다.



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