ST, 모바일기기용 RF 프론트-엔드 최신 공정기술 플랫폼 공개

[산업일보]
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 모바일용 RF 프론트 엔드 디바이스의 사이즈 및 성능 향상에 최적화된 최첨단 실리콘-온-인슐레이터(SOI) 프로세스 기술 ‘H9SOI_FEM’을 공개했다.

모바일 기기에서 RF 프론트-엔드 회로는 대개 개별앰프, 스위치 및 튜너로 구성된다. 4G 모바일 및 와이-파이(IEEE 802.11ac)와 같은 최신 표준들이 대용량 데이터를 처리하기 위해 다중 주파수 대역을 사용함에 따라 스마트폰, 태블릿 등에 추가로 프론트-엔드 회로가 필요하게 됐다. 기존 3G폰들은 최대 5개의 주파수 대역을 사용지만 4G LTE에서는 최대 40개 대역을 지원해야 한다.

ST의 최신 H9SOI_FEM 프로세스를 통하면 기존처럼 각각 부품을 따로 사용해 전체 사이즈의 확대없이 완벽한 통합 프론트-엔드 모듈을 제작할 수 있다.

새로운 이 프로세스는 H9SOI 프로세스의 진화된 형태다. ST가 지난 2008년 이 기술을 도입한 이후 휴대폰 및 와이-파이 애플리케이션용으로 4억 개의 RF 스위치를 생산하는데 사용됐다. 이러한 경험을 바탕으로 ST는 통합된 프론트-엔드 모듈 개발을 위한 H9SOI의 최적화를 진행해 왔으며 안테나 스위치 및 안테나 튜닝 디바이스를 위한 업계 최고의 감도지수(207fs Ron x Coff)를 제공하는 H9SOI_FEM을 개발하게 된 것이다.

한편, 상업적인 관점에서 본다면 고속 다중 대역 무선 기능을 탑재한 스마트폰들의 덕분으로 RF 프론트-엔드 부품, 특히 통합된 모듈 형태의 부품에 대한 수요가 크게 늘고 있다.

프리스마크(Prismark)의 분석에 따르면 스마트폰 RF 디바이스의 수는 기본 사양 2G/3G폰의 3배에 이르며 스마트폰 출하량은 연 십억 대를 넘어서며 약 30%의 증가율을 보이고 있다. 이에 더해 OEM들은 전력효율은 더 우수하고 사이즈는 더 작고 얇아진 부품을 요구한다. ST는 새로운 동급 최강 H9SOI_FEM 프로세스를 기반으로 개별부품에서 뿐만 아니라 통합형 파워 앰프/스위치 및 파워앰프/스위치/튜너 모듈에서도 기회가 있다고 보고 있다.

플라비오 베네티(FlavioBenetti) ST의 혼합프로세스사업부 사업본부장은 “H9SOI_FEM 프로세스는 고객들이 현재의 프론트-엔드 솔루션 크기의 절반 또는 그보다 더 작은 최첨단 프론트-엔드 모듈 개발을 위해 특별히 개발된 기술”이라며 “프로세스를 단순화하해 전반적인 리드타임을 크게 줄일 수 있고 공급의 유연성도 확보할 수 있었다. 이는 해당시장의 최종 고객들에게 매우 중요한 부분”이라고 강조했다.