스팬션, 90nm 미러비트 기술 기반 플래시 메모리 솔루션 시연 AMD와 후지쯔의 플래시 메모리 부문 합작법인인 스팬션은 90nm 미러비트 기술 기반의 싱글칩 1Gb GL 노어 플래시 제품과 1Gb 오어낸드 플래시 제품을 성공적으로 시연했다고 21일 밝혔다.스팬션의 CEO인 버트란 캠보우 박사는 “90nm 기반의 미러비트 기술은 플래시 메모리시장에 변화를 가져올 것”이라며 “고객들은 코드 실행을 위한 노어 아키텍쳐를 안정성과 읽기 속도, 사용 편의성 측면에서 더 선호하고 있는 상황에서 미러비트 기술이 노어와 오어낸드 아카텍쳐 모두에서 90nm까지 확장됐다는 것은 미러비트 기술이 주는 코드 실행의 장점을 이용하면서 동시에 무선과 임베디드 기기에서 데이터 저장에까지 미러비트 기술을 확장해서 사용할 수 있음을 의미한다”고 말했다.스팬션은 올해 발표하게 될 노어와 오어낸드 아키텍쳐를 위한 1Gb 플래시 메모리를 포함해 2Gb 집적도의 오어낸드 디바이스를 2006년에 발표할 것이라고 밝혔다. 또한 휴대폰 시장을 겨냥한 고성능 1.8볼트 512Mb 노어 디바이스를 2006년 초에 제공할 것이라고 밝혔으며, 2006년부터 65nm 미러비트 기술을 기반으로 한 제품 생산을 계획하고 있다고 덧붙였다.미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)

스팬션, 90nm 미러비트 기술 기반 플래시 메모리 솔루션 시연

기사입력 2005-09-21 09:51:00

[산업일보]
AMD와 후지쯔의 플래시 메모리 부문 합작법인인 스팬션은 90nm 미러비트 기술 기반의 싱글칩 1Gb GL 노어 플래시 제품과 1Gb 오어낸드 플래시 제품을 성공적으로 시연했다고 21일 밝혔다.

스팬션의 CEO인 버트란 캠보우 박사는 “90nm 기반의 미러비트 기술은 플래시 메모리시장에 변화를 가져올 것”이라며 “고객들은 코드 실행을 위한 노어 아키텍쳐를 안정성과 읽기 속도, 사용 편의성 측면에서 더 선호하고 있는 상황에서 미러비트 기술이 노어와 오어낸드 아카텍쳐 모두에서 90nm까지 확장됐다는 것은 미러비트 기술이 주는 코드 실행의 장점을 이용하면서 동시에 무선과 임베디드 기기에서 데이터 저장에까지 미러비트 기술을 확장해서 사용할 수 있음을 의미한다”고 말했다.

스팬션은 올해 발표하게 될 노어와 오어낸드 아키텍쳐를 위한 1Gb 플래시 메모리를 포함해 2Gb 집적도의 오어낸드 디바이스를 2006년에 발표할 것이라고 밝혔다. 또한 휴대폰 시장을 겨냥한 고성능 1.8볼트 512Mb 노어 디바이스를 2006년 초에 제공할 것이라고 밝혔으며, 2006년부터 65nm 미러비트 기술을 기반으로 한 제품 생산을 계획하고 있다고 덧붙였다.

미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)

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