8기가 플렉스 원낸드 메모리

[산업일보]
삼성전자가 40나노급 공정을 적용한 8기가 플렉스 원낸드(Flex-OneNANDTM)를 개발했다.

이번에 개발된 8기가 Flex-OneNANDTM 제품은 퓨전 메모리 제품 최초로 40나노 공정을 적용해 기존 60나노급 4기가 Flex-OneNANDTM 제품 대비 생산성을 약 2.8배 향상시켜 제품 경쟁력을 한 단계 더 강화했다.

이번에 개발된 8기가 Flex-OneNANDTM 제품의 소프트웨어 솔루션은 휴대폰 업체에서 직접 Flex-OneNANDTM의 SLC 및 MLC 용량을 자유자재로 디자인할 수 있다. 이는 프로그램을 지원하는 코드(Code)용 SLC 플래시와 사진 및 동영상 등의 데이터 저장용 MLC 플래시를 하나의 칩으로 구현할 수 있음을 말한다.

뿐만 아니라 내장 타입의 확장 스토리지인 Movi-NANDTM(혹은 eMMC)까지 컨트롤할 수 있어, 휴대폰 업체가 고용량 내장형 저장장치를 갖춘 제품을 개발할 때 별도의 소프트웨어가 필요 없도록 개발 편의성을 극대화했다.

최근 시장이 빠르게 확대되고 있는 스마트폰은 터치 방식 도입 및 고해상도 지원으로 갈수록 고기능화, 대용량화되고 있는데, '08년에는 16기가바이트를 내장한 스마트폰이 등장한 데 이어, '09년에는 32기가바이트 용량의 메모리가 내장될 전망이다. 이번에 개발된 8기가 Flex-OneNANDTM 제품을 탑재하면 이 같은 고용량 내장 스토리지까지 별도의 소프트웨어 개발 없이 사용 가능하다.

한편, 8기가비트 Flex-OneNANDTM 제품은 그 자체로 약 1기가바이트의 MLC 낸드 용량을 갖추고 있으며, MLC 낸드 플래시 대비 4배 이상 고속의 읽기 성능 구현으로 대용량·고성능·저소비전력 등 고효율 동작을 요구하는 하이엔드 휴대폰에 적합한 솔루션을 제공한다.