인피니언, 고전력 LDMOS 트랜지스터 출시

[산업일보]
인피니언 테크놀로지스 코리아는 광대역 무선 네트워크 기지국 설계를 위한 고전력 LDMOS 트랜지스터 제품군을 발표했다.

최대 300W의 업계 선도적인 전력 수준과 90MHz를 초과하는 비디오 대역폭을 통해 신형 트랜지스터는 3G에서 4G 무선 네트워크로 진화하는 데 필요한 높은 최고전력 대비 평균전력 비율과 높은 데이터 전송속도 사양을 완벽하게 지원한다.

신형 트랜지스터 제품군은 1.4GHz에서 2.6GHz까지의 이동통신 대역에서 동작하는 다른 경쟁 제품들보다 높은 이득과 높은 전력밀도를 달성하였다.

이를 통해 30% 작은 풋프린트의 패키지를 사용하여 증폭기 설계를 소형화하고 비용을 절감할 수 있도록 한다. 높은 최고 전력은 도허티 (Doherty)-기반 증폭기 설계에 매우 유용할 뿐만 아니라 다른 아키텍처에서도 부품 수를 줄여준다.

인피니언 테크놀로지스 RF 전력 사업본부장인 헬무트 보글러 (Helmut Vogler)씨는 “전력 증폭기의 크기를 줄이면서 탁월한 전력효율을 제공한다는 것은 기지국의 크기를 소형화할 수 있다는 것을 말하며, 이는 다시 말해 제조업체들이 효율적이고 환경 친화적인 무선 시스템 솔루션을 최적화된 비용으로 제공할 수 있다는 것이다”라고 말했다.

또 “트랜지스터 초기 제품군의 양산공급이 시작되면 기지국 공급업체들은 2010년부터 시작될 4G 기술 출시를 위한 고객 요건을 충족하기 위해 인피니언 제품을 사용하게 될 것이다”라고 말했다.

모든 신형 PTFB 트랜지스터 제품군은 볼트조절 및 이어리스 마운팅을 위한 공동 (open-cavity) 세라믹 패키지로 제공된다. 또한 무연 (Pb-free) 및 ROHS규정을 준수한다. 현재 초기 6개 제품의 샘플이 제공되고 있다.


김영복 기자 asura@kidd.co.kr