ST, 혁신적인 전력 패키지 발표 MDmesh™ V 기술의 효율성 극대화 전력용 반도체 분야의 세계적 선두주자인 ST마이크로일렉트로닉스 (www.st.com, 한국 지사장 강성근)는 첨단의 고성능 전력 패키지를 개발하고, 자사의 최신 MDmesh™ V 전력 MOSFET 기술의 전력 밀도를 더욱 향상시켰다.새로운 전력 패키지는 1mm 높이의 표면 실장 패키지로서 면적이 8mm x 8mm에 불과한 리드리스 아웃라인에 TO-220 다이 크기를 집적하고 있으며, 내부에서 발생된 열을 효율적으로 제거하기 위하여 노출된 금속 드레인 패드를 특징으로 하고 있다. 낮은 패키지 높이는 최근 시장에 맞는 컴팩트하고 세련된 제품을 구현함으로써, 디자이너들에게 더욱 슬림한 전원장치 설계를 가능하게 한다. 이 새로운 표준은 ST마이크로일렉트로닉스와 인피니언 (Infineon Technologies)의 2개 회사에 의해 적용되고 있다. ST는 이 혁신적인 패키지를 적용한 PowerFLAT™ 8x8 HV라는 MOSFET를 출시, 인피니언은 ThinPAK™ 8x8이라고 하는 MOSFET을 출시함으로써 고객들에게 고품질의 대안 솔루션을 제공하게 된다. ST마이크로일렉트로닉스의 파워 트랜지스터 부문 마케팅 이사인 마우리치오 쥬이디체 (Maurizio Guidice)는 ST는 인피니언과 긴밀한 협력을 통하여 고성능 패키지를 개발하는 결실에 맺게 되었으며 이를 통해 고객들은 전력용 반도체의 세계 선도적인 두 회사가 지원하는 패키지의 첨단 디자인을 이용할 수 있게 되었다. ST의 새로운 MOSFET은 자사 독점의 MDmesh V 공정 기술과 이 혁신적인 패키지 기술이 결합됨으로써, 비슷한 전압 수준의 디바이스들 중 가장 높은 전력 밀도와 효율을 달성한다고 설명했다.

ST, 혁신적인 전력 패키지 발표

MDmesh™ V 기술의 효율성 극대화

기사입력 2010-05-07 17:07:50

[산업일보]
전력용 반도체 분야의 세계적 선두주자인 ST마이크로일렉트로닉스 (www.st.com, 한국 지사장 강성근)는 첨단의 고성능 전력 패키지를 개발하고, 자사의 최신 MDmesh™ V 전력 MOSFET 기술의 전력 밀도를 더욱 향상시켰다.

새로운 전력 패키지는 1mm 높이의 표면 실장 패키지로서 면적이 8mm x 8mm에 불과한 리드리스 아웃라인에 TO-220 다이 크기를 집적하고 있으며, 내부에서 발생된 열을 효율적으로 제거하기 위하여 노출된 금속 드레인 패드를 특징으로 하고 있다.

낮은 패키지 높이는 최근 시장에 맞는 컴팩트하고 세련된 제품을 구현함으로써, 디자이너들에게 더욱 슬림한 전원장치 설계를 가능하게 한다. 이 새로운 표준은 ST마이크로일렉트로닉스와 인피니언 (Infineon Technologies)의 2개 회사에 의해 적용되고 있다.

ST는 이 혁신적인 패키지를 적용한 PowerFLAT™ 8x8 HV라는 MOSFET를 출시, 인피니언은 ThinPAK™ 8x8이라고 하는 MOSFET을 출시함으로써 고객들에게 고품질의 대안 솔루션을 제공하게 된다.

ST마이크로일렉트로닉스의 파워 트랜지스터 부문 마케팅 이사인 마우리치오 쥬이디체 (Maurizio Guidice)는 "ST는 인피니언과 긴밀한 협력을 통하여 고성능 패키지를 개발하는 결실에 맺게 되었으며 이를 통해 고객들은 전력용 반도체의 세계 선도적인 두 회사가 지원하는 패키지의 첨단 디자인을 이용할 수 있게 되었다. ST의 새로운 MOSFET은 자사 독점의 MDmesh V 공정 기술과 이 혁신적인 패키지 기술이 결합됨으로써, 비슷한 전압 수준의 디바이스들 중 가장 높은 전력 밀도와 효율을 달성한다"고 설명했다.

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강정수 기자 news@kidd.co.kr

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