TI, 80V 하프 브리지 GaN FET 모듈 출시 GaN의 장점 실현하는 통합 GaN FET 전력단 프로토타입 TI는 업계 최초로 80V, 10A 내장형 질화갈륨(GaN) FET(Field-effect Transistor) 전력단 프로토타입을 출시했다고 밝혔다. 새롭게 선보인 전력단은 하프 브리지 방식으로 하나의 고주파수 드라이버와 2개의 GaN FET로 구성되어 있으며, 설계가 간편한 QFN(Quad Flat No-leads) 패키지로 제공된다. 새로운 LMG5200 GaN FET 전력단은 설계 공간이 제한적인 고주파 산업 및 통신 애플리케이션에 한층 증가된 전력 밀도와 효율을 제공하는 차세대 GaN 전력 변환 솔루션 채택을 가속화하는데 기여할 것으로 보인다. TI의 고전압 전원 솔루션 사업부 부사장 스티브 램부스(Steve Lambouses)는 “GaN 기반 전원 설계의 가장 큰 걸림돌 중 하나가 GaN FET 구동과 그와 관련된 불확실성, 그에 따른 패키징 및 설계 레이아웃으로 인한 기생성분이었다”며, “TI는 설계가 용이한 첨단 패키징으로 최적화된 통합 모듈, 드라이버, 고주파수 컨트롤러의 완벽하고 신뢰할 수 있는 전력 변환 에코 시스템을 제공함으로써 전원 설계자가 GaN 기술의 잠재성을 실현할 수 있도록 했다”고 전했다.

TI, 80V 하프 브리지 GaN FET 모듈 출시

GaN의 장점 실현하는 통합 GaN FET 전력단 프로토타입

기사입력 2015-03-18 17:07:58

[산업일보]
TI는 업계 최초로 80V, 10A 내장형 질화갈륨(GaN) FET(Field-effect Transistor) 전력단 프로토타입을 출시했다고 밝혔다.

새롭게 선보인 전력단은 하프 브리지 방식으로 하나의 고주파수 드라이버와 2개의 GaN FET로 구성되어 있으며, 설계가 간편한 QFN(Quad Flat No-leads) 패키지로 제공된다.

새로운 LMG5200 GaN FET 전력단은 설계 공간이 제한적인 고주파 산업 및 통신 애플리케이션에 한층 증가된 전력 밀도와 효율을 제공하는 차세대 GaN 전력 변환 솔루션 채택을 가속화하는데 기여할 것으로 보인다.

TI의 고전압 전원 솔루션 사업부 부사장 스티브 램부스(Steve Lambouses)는 “GaN 기반 전원 설계의 가장 큰 걸림돌 중 하나가 GaN FET 구동과 그와 관련된 불확실성, 그에 따른 패키징 및 설계 레이아웃으로 인한 기생성분이었다”며, “TI는 설계가 용이한 첨단 패키징으로 최적화된 통합 모듈, 드라이버, 고주파수 컨트롤러의 완벽하고 신뢰할 수 있는 전력 변환 에코 시스템을 제공함으로써 전원 설계자가 GaN 기술의 잠재성을 실현할 수 있도록 했다”고 전했다.

뒤로 기사목록

산업일보 영상뉴스 모아보기

산업일보 페이스북 바로가기

김진성 기자 weekendk@kidd.co.kr

이 기자의 다른기사 보기 >

안녕하세요~산업1부 김진성 기자입니다. 스마트공장을 포함한 우리나라 제조업 혁신 3.0을 관심깊게 살펴보고 있으며, 그 외 각종 기계분야와 전시회 산업 등에도 한 번씩 곁눈질하고 있습니다.