[산업일보]
애플이 중국 메모리 반도체 공급사에서 NAND Flash 구매하기 위해 협상 중인 것으로 알려진 가운데, 해당 중국 메모리 반도체 공급사는 칭화유니그룹 산하의 기업이며 우한에 3D-NAND Flash 공장을 설립 중인 것으로 확인됐다.
우한 지역의 3D-NAND Flash 양산 계획은 2015년 하반기에 발표되었으며 아직까지는 공장 설립과 R&D 단계인 것으로 평가되고 있다. 언론에 의하면 애플에 까다로운 요구조건에 부합하는 제품이 양산되려면 2020년 이후에나 가능할 것이고, 용처는 중국 내에서 판매되는 스마트폰에 한정될 것으로 보인다.
한편, 메모리 반도체 1위 공급사인 삼성전자의 최선책은 원가절감 극대화와 클린룸 선제적 확보라는 주장이 제기되고 있다.
중국에서의 메모리 반도체 양산이 시작되기 전에 국내 공급사의 최선책은 원가절감 극대화를 통한 기술 격차 확대와 차후 장비 입고를 위한 클린룸의 선제적 확보라고 전망된다.
이에, 삼성전자는 평택지역 2라인 시설투자 검토 중이다. 착공 시기와 투자규모, 양산 제품 등이 결정되지 않았지만 시안지역 1라인, 평택지역 1라인 이후 삼성전자가 반도체 부문에서 대규모 시설 투자를 재개할 것은 확실시 되고 있다. 생산 품목은 D램과 3D-낸드 플래시 중에서 시장 상황에 따라 탄력적으로 양산 대응할 것으로 보인다.
과거 특정 공급사의 생산라인 증설은 메모리 반도체 산업의 다운사이클을 유발하는 악재로 받아들여졌으나 공급 증가를 촉진했던 D램 미세공정 전환 (선폭 축소) 수준이 과거 기준 연간 4~5nm 수준에서 최근 기준 연간 1~3nm 수준으로 느려지며 증설에 대한 우려는 완화되고 있다.
아울러 3D-NAND 공급 증가 속도는 적어도 아직까지 과거 2D-NAND 공급 증가속도만큼 빠르지 않기 때문에 종합적으로 메모리 반도체 공급사의 증설 발표는 여타 산업에서와 달리 우려 요인보다 업황 호황의 증거로 받아들여지고 있다.
대신증권의 김경민 연구원은 “삼성전자의 전사 기준 시설투자 금액이 2017년 43조 원에서 2018년 34조 원 수준으로 줄어들지만 이는 건설 비용을 포함한 것이고, 반도체 밸류체인 전반적으로 국산 장비 (equipment) 입고 및 소재 (materials) 적용 관련 수요는 지속적으로 증가할 것”이라며, “제조공정이 복잡해질수록 시설투자 부담이 늘어나므로 삼성전자의 입장에서는 가격경쟁력과 서비스경쟁력을 갖춘 국산 장비, 소재 공급사를 더 선호하게 될 것이다”라고 언급했다.