삼성전자, 대용량 4Gb 원낸드 개발

[산업일보]
삼성전자가 1Gb(Giga Bit) 원낸드(OneNAND)에 이어, 이번엔 용량을 4배로 늘린 ‘4Gb 원낸드 퓨전메모리’를 개발했다.

이번 4Gb 원낸드는 삼성전자가 지난해 개발한 90나노 1Gb 원낸드를 가지고, 수직 4단으로 적층해 4Gb를 구현하는 반도체 新패키지 기술 QDP(Quad Die Package)를 적용했다.

이로써 삼성전자는 MCP(최대용량 2.5Gb, '04년 9월 개발), 모바일 D램(최대용량 1Gb, '05년 3월 개발)과 더불어 차세대 모바일용 메모리반도체 삼총사의 기가시대를 열었다.

원낸드(OneNAND)란 낸드형 플래시메모리를 기반으로 S램과 로직(Logic)회로 등을 하나의 칩에 구현함으로써 기능과 용도를 대폭 확대한 삼성전자의 차세대 주력 메모리반도체이다.

이번 제품은 4Gb에 달하는 大용량이고, 낸드플래시보다 4배 빠른 읽기속도(108Myte/s), 노어플래시보다 67배 빠른 쓰기속도(10MByte/s)를 가지고 있어, 모바일 기기의 부팅시간을 크게 단축시키고 대용량 데이터를 실시간으로 저장할 수 있다.

또한, 1Gb 원낸드와 유사한 크기의 초소형(11mm×13mm×1.4mm) 사이즈와 저전력형이라는 장점으로 인해 3세대 휴대폰을 중심으로 다양한 모바일기기 시장에서 수요가 빠르게 늘어날 것으로 예상하고 있다.

4Gb 원낸드의 성능을 휴대폰에 적용하면 500만 화소급 사진 250장 연속촬영 및 저장, 또는 MP3 음악 120곡의 저장이 가능해진다.

삼성전자는 4Gb 원낸드 확보로 저용량 128Mb부터 대용량 4Gb까지 다양한 원낸드 제품군을 갖추게 됐으며, MCP(Multi Chip Package), DDP (Dual Die Package), QDP(Quad Die Package) 등 원낸드 기반의 다양한 패키지 제품 공급을 통해 모바일 시장의 대용량화를 실현하고 있다.

삼성전자는 4Gb 원낸드 제품을 7월부터 본격 양산할 계획이다.



미디어다아라 고정태 기자(jazzful@daara.co.kr)