SEZ, 새로운 ESANTI 싱글 웨이퍼 습식 플랫폼 발표

[산업일보]
반도체 산업용 싱글 웨이퍼 습식공정 기술분야의 선두업체인 SEZ 그룹(지사장 정덕헌, www.sez.com, SWX: SEZN)은 29일, FEOL 클리닝과 포토레지스트 스트립 공정용 EsantiTM 플랫폼을 출시했다고 밝혔다.

고도로 유연한(다양한 용도의) Esanti 플랫폼은 싱글 웨이퍼 습식 공정 분야에서 SEZ 그룹의 입증된 전문기술을 바탕으로 45nm(나노미터) 이하의 공정을 위한 칩 제조업체의 FEOL 클리닝 로드맵을 위해 개발됐다.

이 플랫폼에는 SEZ의 핵심 스핀 프로세서 기술을 기반으로, 광범위한 양산용 애플리케이션을 위해 결함 제거와 표면건조 기능을 향상시킬 수 있는 새로운 기능들이 추가된 것이다.

새로운 플랫폼은 지난 7월 Esanti 플랫폼을 이용한 배치(batch) 공정에 최적화된 독자적인 ESA(Enhanced Sulfuric Acid)TM 스트립 공정 발표 이후 SEZ의 FEOL 타깃 제품에 추가된 가장 최신 제품이기도 하다.

싱글 웨이퍼 기술, 특히 습식 공정은 사이클 시간과 비용을 줄인 우수한 공정 제어에 대한 수요가 지속적으로 증가함에 따라 그 수요가 계속 늘고 있는 추세다. 클리닝 시장은 한 때 배치 공정(습식 벤치와 스프레이 툴)이 일반적이었지만, 최근 수년 사이 BEOL의 싱글 웨이퍼 방식으로 전환되고 있는 실정이다. 싱글 웨이퍼 공정이 배치 기법과 관련된 많은 제한을 극복할 수 있는 능력을 갖추고 있을뿐 아니라, 이 방식은 최소 교차 오염(웨이퍼 내부 및 웨이퍼 간)을 통해 현저히 향상된 결함 밀도를 제공하고, 우수한 공정 제어, 균일성, 주기 시간 및 다른 싱글 웨이퍼 툴과의 일치 등 다양한 이점을 갖고 있다.

SEZ 그룹의 COO겸 부사장 커트 라켄부처(Kurt Lackenbucher)는 “SEZ는 BEOL 싱글 웨이퍼 공정으로 전환하는데 앞장서고 주도적인 역할을 해왔다”며 “이제 다시 시장과 고객의 요구에 맞춰 포트폴리오를 확대함으로써 FEOL 클리닝 및 스트립 공정으로의 전환을 주도하고 있다”고 말했다.

Esanti 플랫폼은 사전 증착(pre-diffusion), 프리게이트(pre-gate), 접점 및 사전 금속 세정(pre-metal cleans)을 포함하는 광범위한 FEOL 클리닝 애플리케이션, 고온(140°C) 포스트 스트립/애쉬(post-strip/ash), 포스트 에칭(post-etch), 포스트 임플란트(post-implant) 습식 포토레지스트 스트립 및 클리닝, 포토레지스트 재작업을 위한 유연성을 제공하는 다중 오픈 챔버(open-chamber) 설계를 특징으로 한다.

이 플랫폼은 폴리머 클리닝과 후면 처리(backside treatment)와 같은 SEZ의 기존 Da VinciTM 제품군에서 제공되는 기본적인 기능들 외에 다양한 새로운 기능을 통합하고 있다. 이들 중 주요 기능으로는 양면 처리(double-side treatment) 기능, 향상된 결함 제거를 위한 액티브젯(Active-Jet) 스프레이 기술, SEZ의 독자적인 ASD(atmospheric surface drying) 기술이 있다. 이 기술은 건조 공정 동안 다양한 구조물 상에 워터마크 생성과 패턴 붕괴를 방지한다.

SEZ는 Esanti 플랫폼 툴을 다양한 구성으로 출시할 예정이다. 고객은 200mm 또는 300mm 웨이퍼와 호환되는 4개 또는 8개 챔버 버전을 선택할 수 있다. 플랫폼은 뱃치 공정에 맞먹는 처리량과 최대 4가지 화학제와 공정 챔버 레벨을 사용할 수 있는 유연한 외부 화학제 공급 시스템을 자랑한다. 따라서 최소의 영향으로 동일한 툴에서 하나 이상의 공정을 실행할 수 있다. 다른 화학제마다 개별적인 드레인과 배기(exhaust)를 갖추고 있어 챔버를 변경할 필요 없이 화학제의 순서를 쉽게 바꿀 수 있는 장점이 있다.




미디어다아라 전은경 기자(miin486@daara.co.kr)