45nm NOR 플래시 메모리 칩 데이터 쓰기 속도 최대 50% 개선 비휘발성 메모리 전문업체 뉴모닉스가 45나노미터(nm) 공정 기술을 이용한 MLC(multi-level cell) NOR 플래시 메모리 제품 샘플을 업계 최초로 발표했다. 이 제품은 시장에 출시된 것 중 가장 발전된 NOR 플래시로서 휴대폰에서 주요 기능을 구동하고, 개인 데이터를 관리하며, 사진, 음악 및 비디오를 저장하기 위해 사용할 수 있다. 45nm 1기가비트 (Gb) 단일 칩 장치는 뉴모닉스 스트라타플래시 (Numonyx™ StrataFlashR) 메모리 아키텍처를 기반으로 하며, 뉴모닉스 에서 양산중인 65 nm NOR 플래시 칩과 대체(drop-in compatible)가 가능하다. 이러한 아키텍처 호환성과 연속성은 휴대폰 OEM 사들에게 개발비용을 낮추고, 현 플랫폼의 수명을 연장하며, 큰 저장 공간과 신속한 XIP(execute-in-place) 메모리 기능을 활용한 신제품을 신속하게 시장에 출시할 수 있다. 또한, 이 신 기술은 이전 세대 제품에 비해 데이터 쓰기 속도가 최대 50 퍼센트 개선될 예정이다. 뉴모닉스는 현재 제한된 수량과 용량으로 샘플링을 하고 있으며, 올 해 이 신 기술을 기반으로 하는 제품을 도입할 계획이다. 본격적인 생산은 2010년에 시작될 것으로 예상된다. 뉴모닉스는 이 기술을 광범위한 임베디드 솔루션에 전체적으로 적용하여 주요 임베디드 시장에 신 기술 성능 혜택뿐만 아니라 아키텍처 연속성을 통한 안정성과 신뢰성도 제공할 계획이다.$$$$$

45nm NOR 플래시 메모리 칩

데이터 쓰기 속도 최대 50% 개선

기사입력 2009-03-13 09:12:42

[산업일보]
비휘발성 메모리 전문업체 뉴모닉스가 45나노미터(nm) 공정 기술을 이용한 MLC(multi-level cell) NOR 플래시 메모리 제품 샘플을 업계 최초로 발표했다.

이 제품은 시장에 출시된 것 중 가장 발전된 NOR 플래시로서 휴대폰에서 주요 기능을 구동하고, 개인 데이터를 관리하며, 사진, 음악 및 비디오를 저장하기 위해 사용할 수 있다.

45nm 1기가비트 (Gb) 단일 칩 장치는 뉴모닉스 스트라타플래시 (Numonyx™ StrataFlashR) 메모리 아키텍처를 기반으로 하며, 뉴모닉스 에서 양산중인 65 nm NOR 플래시 칩과 대체(drop-in compatible)가 가능하다.

이러한 아키텍처 호환성과 연속성은 휴대폰 OEM 사들에게 개발비용을 낮추고, 현 플랫폼의 수명을 연장하며, 큰 저장 공간과 신속한 XIP(execute-in-place) 메모리 기능을 활용한 신제품을 신속하게 시장에 출시할 수 있다. 또한, 이 신 기술은 이전 세대 제품에 비해 데이터 쓰기 속도가 최대 50 퍼센트 개선될 예정이다.
뉴모닉스는 현재 제한된 수량과 용량으로 샘플링을 하고 있으며, 올 해 이 신 기술을 기반으로 하는 제품을 도입할 계획이다.

본격적인 생산은 2010년에 시작될 것으로 예상된다. 뉴모닉스는 이 기술을 광범위한 임베디드 솔루션에 전체적으로 적용하여 주요 임베디드 시장에 신 기술 성능 혜택뿐만 아니라 아키텍처 연속성을 통한 안정성과 신뢰성도 제공할 계획이다.

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임형준 기자 lhj@kidd.co.kr

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