ST, 바이폴라 전력 트랜지스터 출시 세계선도적인 종합반도체사이자 전력용 반도체의 선도 공급사인 ST마이크로일렉트로닉스 (www.st.com)는 새로운 고성능 바이폴라 전력 트랜지스터 제품을 출시하였다. 신제품 전력 트랜지스터는 높은 전류 용량, 컬렉터-이미터 블로킹 전압, 극히 낮은 컬렉터-이미터 포화 전압이 결합되어 LED 드라이브, 모터 및 릴레이 드라이브, DC-DC 컨버터에 최적화된 최상의 성능을 제공한다. 신제품 3STR1630은 새로운 저전압 평면 기술 (planar technology)를 이용한 NPN 트랜지스터이다. 이 평면 기술은 2중-금속 공정을 이용해서 정교한 광식각 (photolithography) 장비를 사용하지 않고도 셀 밀도를 거의 2배로 높일 수 있다.2중-금속 공정을 이용함으로써 동일한 다이 크기로 전류 용량을 50%까지 높일 수 있을 뿐만 아니라 Vceo 정격이 최대 100V에 달하고, 더 높은 스위칭 주파수로 동작하며 (최대 300kHz), Vce(sat)을 40% 감소시키는 트랜지스터를 가능하게 해준다.3STR1630은 최소 BVCEO가 30V로서 28V 블로킹 전압 용량과 최소 Vce(sat) 사이에 최적 절충을 달성하며 hFE 지수가 50일 때 등가 온저항이 100 밀리옴에 불과하다. 또한 이 디바이스는 소형 아웃라인 SOT-23 패키지로 최고 6A에 이르는 연속 전류를 처리할 수 있다.

ST, 바이폴라 전력 트랜지스터 출시

기사입력 2011-03-05 00:20:30

[산업일보]
세계선도적인 종합반도체사이자 전력용 반도체의 선도 공급사인 ST마이크로일렉트로닉스 (www.st.com)는 새로운 고성능 바이폴라 전력 트랜지스터 제품을 출시하였다.

신제품 전력 트랜지스터는 높은 전류 용량, 컬렉터-이미터 블로킹 전압, 극히 낮은 컬렉터-이미터 포화 전압이 결합되어 LED 드라이브, 모터 및 릴레이 드라이브, DC-DC 컨버터에 최적화된 최상의 성능을 제공한다.

신제품 3STR1630은 새로운 저전압 평면 기술 (planar technology)를 이용한 NPN 트랜지스터이다. 이 평면 기술은 2중-금속 공정을 이용해서 정교한 광식각 (photolithography) 장비를 사용하지 않고도 셀 밀도를 거의 2배로 높일 수 있다.

2중-금속 공정을 이용함으로써 동일한 다이 크기로 전류 용량을 50%까지 높일 수 있을 뿐만 아니라 Vceo 정격이 최대 100V에 달하고, 더 높은 스위칭 주파수로 동작하며 (최대 300kHz), Vce(sat)을 40% 감소시키는 트랜지스터를 가능하게 해준다.

3STR1630은 최소 BVCEO가 30V로서 28V 블로킹 전압 용량과 최소 Vce(sat) 사이에 최적 절충을 달성하며 hFE 지수가 50일 때 등가 온저항이 100 밀리옴에 불과하다. 또한 이 디바이스는 소형 아웃라인 SOT-23 패키지로 최고 6A에 이르는 연속 전류를 처리할 수 있다.

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강정수 기자 news@kidd.co.kr

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