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페어차일드반도체, 고전압 MOSFET 선보여
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페어차일드반도체, 고전압 MOSFET 선보여

기사입력 2005-05-24 12:06:00
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[산업일보]
페어차일드반도체가 높은 효율을 필요로 하는 고전압 고속 스위칭 애플리케이션을 위해 8개 고전압 SuperFET MOSFET을 선보였다.

페어차일드반도체, 고전압 MOSFET 선보여
회사측은 SuperFET 기술이 RDS(ON) 및 게이트 전하(Qg)를 낮춰 전도 손실을 최소화하고 스위칭 성능을 향상시킨다며 반복적 애버랜치 에너지가 다른 솔루션에 비해 열 배까지 우수한 성능을 나타낸다고 밝혔다. 또한 최대 게이트-소스 전압이 ±30V(경쟁 디바이스에 비해 50퍼센트 높음)이므로 견고성이 향상됨으로써 고전압 애플리케이션에서 더 믿을 수 있게 동작한다고 설명했다.

이 기술을 이용하면 고압방전(HID) 전등 안정기나 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 텔레비전 파워서플라이같이 트랜션트가 발생하기 쉬운 애플리케이션에서 유용하다.

또한 파워서플라이 애플리케이션의 경우에는 SuperFET의 온저항이 낮아서 전력 손실을 낮추므로 고비용 냉각 시스템이 불필요하고 따라서 디자인 공간을 절약할 수 있다. 게이트 전하가 낮으므로 구동이 용이하며 더 높은 속도로 스위칭함으로써 효율을 높일 수 있다.



미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)



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