차세대 메모리 원천기술 개발 실용화 2-3년 앞당겨 산업자원부 차세대 비휘발성 메모리사업단 황현상(광주과학기술원 교수) 연구팀이 세계 최초로 저항 변화 메모리(ReRAM : Resistance Random Access Memory) 소자의 핵심 원천기술을 개발하는 데 성공했다고 8일 밝혔다.이번에 성공한 기술은 데이터를 저장할 수 있는 메모리 특성, 즉 '0(off)'과 '1(on)' 상태를 번갈아 동작시킬 수 있는 핵심물질인 단결정 스트론튬타이타늄옥사이드(SrTiO3) 개발과 이 물질의 고유특성이 유지되도록 하는 표면처리공정의 개발이다.따라서 데이터의 저장상태가 10년 이상 유지되고, 천만번(107) 이상 정보를 '썼다, 지웠다'하는 동작이 가능하다.현재까지 플래시메모리는 △정보의 쓰기 및 지우는 시간이 느리고, △32Gb급 이상의 저장 용량 제품 생산에는 기술적 한계가 있었다.황현상 교수 연구팀의 이번 개발로 핵심 원천기술의 선점 및 테라비트(Tera bit)급 고용량 차세대 메모리 상용화 시기를 최소 2-3년 정도 앞당길 것으로 기대되고 있다.한편, 황교수 연구팀은 이 기술을 국내에 2건 특허를 출원했으며, 미국, 일본 등 해외 특허도 출원 준비중이라고 밝혔다.미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)$$$$$

차세대 메모리 원천기술 개발

실용화 2-3년 앞당겨

기사입력 2005-12-08 17:19:00

[산업일보]
산업자원부 차세대 비휘발성 메모리사업단 황현상(광주과학기술원 교수) 연구팀이 세계 최초로 저항 변화 메모리(ReRAM : Resistance Random Access Memory) 소자의 핵심 원천기술을 개발하는 데 성공했다고 8일 밝혔다.

이번에 성공한 기술은 데이터를 저장할 수 있는 메모리 특성, 즉 '0(off)'과 '1(on)' 상태를 번갈아 동작시킬 수 있는 핵심물질인 단결정 스트론튬타이타늄옥사이드(SrTiO3) 개발과 이 물질의 고유특성이 유지되도록 하는 표면처리공정의 개발이다.

따라서 데이터의 저장상태가 10년 이상 유지되고, 천만번(107) 이상 정보를 '썼다, 지웠다'하는 동작이 가능하다.

현재까지 플래시메모리는 △정보의 쓰기 및 지우는 시간이 느리고, △32Gb급 이상의 저장 용량 제품 생산에는 기술적 한계가 있었다.

황현상 교수 연구팀의 이번 개발로 핵심 원천기술의 선점 및 테라비트(Tera bit)급 고용량 차세대 메모리 상용화 시기를 최소 2-3년 정도 앞당길 것으로 기대되고 있다.

한편, 황교수 연구팀은 이 기술을 국내에 2건 특허를 출원했으며, 미국, 일본 등 해외 특허도 출원 준비중이라고 밝혔다.

미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)

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