광기술원, 380nm UV LED 칩 국내 첫 개발 미래 유망 제품의 하나로 꼽히는 미세 UV(Ultraviolet : 자외선) LED(Light Emitting Diode : 발광다이오드) 칩이 국산화됐다. 한국광기술원(원장 김태일) 연구진이 반도체조명용 백색 LED제작에 응용되는 3mW급 380nm UV LED 칩을 국내 최초로 개발했다고 8일 산자부는 밝혔다. UV LED는 알루미늄 첨가에 따른 양자효율 저하와 소자 내부의 광흡수 손실을 줄이기 위한 박막성장법이 핵심 기술로서 현재 세계적으로도 개발이 미진한 상황이다. 우리나라에서는 삼성종합기술원과 LG전자기술원, 에피밸리 등이 백색 조명용 405nm 청자색 LED를 개발중으로, 400nm 이하의 UV LED는 이번 개발이 국내 최초라고 산자부는 다시 한번 강조했다. 이번 개발에 성공한 UV LED 칩은 RGB(Red, Green, Blue) 형광체의 펌핑 효율이 좋은 400nm 미만 파장에서 발광(發光)하는 성능을 갖는다. 이러한 성능은 세계 최고 기술을 보유한 일본 니치아사화학(주)의 상용 LED와 비슷한 출력으로, 위폐감지기 등에 바로 활용할 수 있다고 산자부는 설명했다. 또한 20mW급 380nm UV LED 개발이 완료되는 ’08년에는 반도체 조명산업과 의료/환경산업 등에 활용돼 연 10억 달러 이상의 수입 대체 효과를 가져 올 것이라고 산자부는 기대했다.미디어다아라 전은경 기자(miin486@daara.co.kr)$$$$$

광기술원, 380nm UV LED 칩 국내 첫 개발

기사입력 2006-03-09 09:35:35

[산업일보]
미래 유망 제품의 하나로 꼽히는 미세 UV(Ultraviolet : 자외선) LED(Light Emitting Diode : 발광다이오드) 칩이 국산화됐다.

한국광기술원(원장 김태일) 연구진이 반도체조명용 백색 LED제작에 응용되는 3mW급 380nm UV LED 칩을 국내 최초로 개발했다고 8일 산자부는 밝혔다.

UV LED는 알루미늄 첨가에 따른 양자효율 저하와 소자 내부의 광흡수 손실을 줄이기 위한 박막성장법이 핵심 기술로서 현재 세계적으로도 개발이 미진한 상황이다.

우리나라에서는 삼성종합기술원과 LG전자기술원, 에피밸리 등이 백색 조명용 405nm 청자색 LED를 개발중으로, 400nm 이하의 UV LED는 이번 개발이 국내 최초라고 산자부는 다시 한번 강조했다.

이번 개발에 성공한 UV LED 칩은 RGB(Red, Green, Blue) 형광체의 펌핑 효율이 좋은 400nm 미만 파장에서 발광(發光)하는 성능을 갖는다.

이러한 성능은 세계 최고 기술을 보유한 일본 니치아사화학(주)의 상용 LED와 비슷한 출력으로, 위폐감지기 등에 바로 활용할 수 있다고 산자부는 설명했다.

또한 20mW급 380nm UV LED 개발이 완료되는 ’08년에는 반도체 조명산업과 의료/환경산업 등에 활용돼 연 10억 달러 이상의 수입 대체 효과를 가져 올 것이라고 산자부는 기대했다.

미디어다아라 전은경 기자(miin486@daara.co.kr)

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