하이닉스, 80나노 DDR2 D램 인텔 인증 획득 생산성, 원가경쟁력 향상 기대 하이닉스반도체(대표 우의제)는 업계 최초로 80나노 초미세 공정기술이 적용된 DDR2 D램에 대해 美 인텔의 인증을 받았다고 13일 밝혔다.이번에 인증받은 제품은 PC, 노트북, 서버 등에 사용되는 80나노 512Mb(메가비트) DDR2 D램으로 1.8V의 동작전압에서 667Mbps와 800Mbps의 동작속도를 구현할 수 있는 2종이다.하이닉스반도체가 80나노 DDR2 D램에 대해 PC용 마이크로프로세서 시장을 주도하고 있는 인텔의 인증을 받게 됨으로써 D램 업계에서 처음으로 이 제품의 동작 성능을 대내외적으로 공식 인정받게 됐다.반도체 제조시 회로 공정기술이 미세화되면 웨이퍼 원판에서 생산되는 칩 수가 늘어나기 때문에 생산성이 향상된다.하이닉스반도체는 이번에 인증받은 80나노 DDR2 제품은 이전 공정기술을 적용한 제품 대비 생산성이 1.48배 증가돼 원가 경쟁력이 크게 향상될 것이며 3차원 트랜지스터 구조가 적용돼 리프레시 타임(재충전 시간)이 개선되고 전력소모가 줄어드는 등 기존 나노급 제품에 비해 보다 안정적인 동작 특성을 보일 것으로 내다봤다.이번에 인증받은 제품은 올해 2분기부터 양산 작업에 들어갈 예정이며 향후 모바일 D램, MCP, 슈도S램 등 모바일 제품과 GDDR 등 그래픽 제품에도 80나노 공정 기술을 적용하겠다고 하이닉스반도체측은 전했다.미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)

하이닉스, 80나노 DDR2 D램 인텔 인증 획득

생산성, 원가경쟁력 향상 기대

기사입력 2006-03-13 16:32:56

[산업일보]
하이닉스반도체(대표 우의제)는 업계 최초로 80나노 초미세 공정기술이 적용된 DDR2 D램에 대해 美 인텔의 인증을 받았다고 13일 밝혔다.

이번에 인증받은 제품은 PC, 노트북, 서버 등에 사용되는 80나노 512Mb(메가비트) DDR2 D램으로 1.8V의 동작전압에서 667Mbps와 800Mbps의 동작속도를 구현할 수 있는 2종이다.

하이닉스반도체가 80나노 DDR2 D램에 대해 PC용 마이크로프로세서 시장을 주도하고 있는 인텔의 인증을 받게 됨으로써 D램 업계에서 처음으로 이 제품의 동작 성능을 대내외적으로 공식 인정받게 됐다.

반도체 제조시 회로 공정기술이 미세화되면 웨이퍼 원판에서 생산되는 칩 수가 늘어나기 때문에 생산성이 향상된다.

하이닉스반도체는 이번에 인증받은 80나노 DDR2 제품은 이전 공정기술을 적용한 제품 대비 생산성이 1.48배 증가돼 원가 경쟁력이 크게 향상될 것이며 3차원 트랜지스터 구조가 적용돼 리프레시 타임(재충전 시간)이 개선되고 전력소모가 줄어드는 등 기존 나노급 제품에 비해 보다 안정적인 동작 특성을 보일 것으로 내다봤다.

이번에 인증받은 제품은 올해 2분기부터 양산 작업에 들어갈 예정이며 향후 모바일 D램, MCP, 슈도S램 등 모바일 제품과 GDDR 등 그래픽 제품에도 80나노 공정 기술을 적용하겠다고 하이닉스반도체측은 전했다.

미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)

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