[산업일보]
5일, 인텔은 65나노미터 공정기술을 사용하는 1기가비트 집적도의 노어 멀티 레벨 셀(MLC) 플래시 메모리 칩을 선보였다.
인텔의 노어 플래시 메모리 칩은 전화 운영관리, 개인 정보 관리(PIM)와 사진 및 음악, 동영상 저장을 위해 핸드폰 기기와 같은 디바이스에 활용할 수 있다.
“인텔의 65나노 공정기술은 차세대 핸드폰의 플래시 메모리 성능을 향상시키게 될 것”이라고 인텔의 브라이언 헤리슨 플래시 메모리 그룹 부사장은 말했다. 또한 제조사들은 이번에 선보인 65나노 노어 플래시 메모리의 샘플을 2분기 말쯤 이용할 수 있게 될 것이라고 덧붙였다.
미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)
인텔, 65나노 노어 플래시 메모리칩 발표
차세대 핸드폰의 메모리 성능 향상 주도 예고
기사입력 2006-04-06 17:22:17
