하이닉스, 뉴모닉스와 차세대 낸드플래시 협력 확대

[산업일보]
하이닉스반도체는 뉴모닉스와 차세대 낸드플래시 기술 및 제품에 대한 포괄적인 공동개발 계약을 체결했다고 6일 발표했다.

본 계약을 통해 양사는 향후 5년간 플래시 메모리 제품군 확대를 비롯해 신규 제품 설계 및 차세대 기술 공동개발을 통해 낸드플래시 사업 경쟁력을 강화할 예정이다.
하이닉스는 지난 2003년 4월 뉴모닉스(당시 ST마이크로)와 플래시 메모리에 대한 전략적 제휴 계약을 체결한 바 있으며, 이번 확대 계약을 통해 낸드플래시에 대한 포괄적인 공동 개발을 비롯, 휴대폰 시장을 겨냥한 MCP 제품에 사용되는 모바일 D램에 대한 협력도 추진할 계획이다.

특히, 하이닉스는 이번 협력을 통해 뉴모닉스의 비휘발성 메모리 기술을 바탕으로 낸드플래시 공정 세대 전환시의 기술적 한계를 극복할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

또한, 인텔로부터 뉴모닉스로 흡수된 우수인력을 활용해 소프트웨어 및 마이크로 컨트롤러 솔루션 노하우를 공유할 수 있게 됐으며, 이에 따라 기존 낸드플래시 칩을 MicroSD, eMMC 및 SSD와 같은 복합시스템으로 향상시켜 복합 솔루션 시장으로의 진입 및 점유율 확대가 가능해졌다고 분석하고 있다.

아울러 하이닉스는 기존 낸드플래시의 Floating Gate 구조를 대체할 것으로 예상되는 CTD(Charge Trap Device) 개발에 있어 뉴모닉스가 보유한 노어플래시 기술을 활용할 수 있다고 전했다.

한편, 이번 협력과는 별도로 하이닉스는 모바일 D램을 뉴모닉스에 대량 공급한다.


※ 뉴모닉스(Numonyx)

스위스에 본사를 두고 있는 플래시 메모리 전문 회사로, 인텔(Intel Corporation)의 노어플래시 사업부와 ST마이크로(STMicroelectronics)의 메모리 사업부가 통합돼 올해 3월 출범했다.