삼성 40나노급 D램 이어 하이닉스도 44나노 제품 첫 개발

[산업일보]
하이닉스반도체가 회로폭 44나노 공정으로 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 만드는 기술을 세계 최초로 개발했다.

하이닉스는 이번에 개발한 제품이 미국 인텔 규격과 호환성을 만족시킨 것으로 올해 3분기부터 이를 본격 양산한다고 8일 밝혔다.

삼성전자는 이에 앞서 지난 4일 DDR3가 아닌 DDR2 D램에서 40나노급 `세계 최초 개발`을 선언했다. 2005년 처음 60나노급 D램을 개발한 삼성전자가 2006년 50나노급에 이어 올해 40나노급까지 타 업체보다 먼저 신제품을 내놓았다.

세계 D램 업계 1ㆍ2위인 삼성전자와 하이닉스가 이번에 나란히 40나노급 D램 개발에 성공함으로써 현재 60나노와 70나노 공정에 머물고 있는 외국 경쟁업체들과 기술 격차를 2년 이상 벌렸다. 국내 반도체 업체들이 세계 반도체 미세공정 진화를 선도하고 있음을 증명한 셈이다.

하이닉스가 이번에 내놓은 DDR3 제품은 현재 양산 중인 54나노 공정 제품 대비 50% 이상 생산성이 향상된 것이다. DDR3는 현재 보편적으로 쓰이는 DDR2 D램에 비해 데이터 처리 속도가 빠르지만 가격이 비싸 올해 3분기 이후에나 보편화할 전망이다.

하이닉스는 새 제품이 삼차원 트랜지스터 기술로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 최소화하면서도 업계 최고 동작 속도를 확보했다고 설명했다. 이 제품이 지원하는 최대 속도는 향후 차세대 DDR3 표준 속도가 될 것으로 예상되는 2133Mbps(초당 2133Mb 데이터 처리)며 다양한 전압을 지원하는 것이 특징이다. 특히 44나노는 종전 제품에 비해 반도체 회로 선폭이 더욱 가늘어져 작동하는 데 필요한 전압도 1.5V에서 1.2V로 낮아진다. 이에 따라 소비 전력도 30% 이상 줄어들게 된다.

하이닉스 관계자는 "40나노급 공정은 대부분 D램 업체가 2010년 이후 개발을 목표로 하고 있는 차세대 D램 제조 공정 기술로 올해 하반기 이후 주력 제품이 될 것으로 예상되는 DDR3에 주로 적용할 것"이라고 전망했다. 하이닉스는 DDR3 제품의 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 메모리 모듈, 모바일 D램, 그래픽 D램에 확대 적용한다는 계획이다.

현재 50나노급 공정을 운영하는 업체는 삼성전자와 하이닉스가 유일한데 이번에 40나노 기술 선점과 생산성 제고는 세계 반도체 산업계에서 2년여 동안 지루하게 이어져온 `치킨게임` 종결을 앞당길 것으로 보인다.

최근 반등세로 돌아선 국제 반도체 가격도 국내 반도체 업계에는 순풍으로 작용할 전망이다.

8일 메모리반도체 거래업체인 D램익스체인지에 따르면 이달 초 D램 고정가(1Gb DDR2 기준)는 0.88달러를 기록했다. D램 고정가격은 지난해 7월 2.38달러를 기록한 이후 계속 추락하다 처음으로 반등한 것이다. 낸드 플래시 메모리 고정가격도 2개월째 상승세를 이어갔다. 낸드 플래시 가격(16Gb 멀티 레벨 셀 기준)은 2.58달러로 1월 말 대비 4.9% 상승했다. 낸드 플래시 메모리 가격은 지난해 12월 1.65달러로 바닥을 찍은 이후 이번에 지난해 9월 수준으로 회복했다. 관련 업계에선 해외 경쟁업체들에 비해 기술력에서 앞선 국내 업체들이 반도체 가격이 본격 상승하면 원가 경쟁력 측면에서 더욱 빛을 발할 것으로 기대한다.