3중 셀 낸드 플래시 메모리 생산 시작

[산업일보]
인텔과 마이크론는 25나노 공정 기술을 바탕으로 한 3중셀(3bpc) 낸드 플래시 메모리를 생산한다고 발표했다. 이에 따라 업계 최고 용량을 갖춘 초소형 낸드 장치 생산이 가능해졌다.

두 업체는 선택을 위한 초기 제품 샘플을 생산했으며 올해 말에는 제품 양산이 가능할 것으로 기대하고 있다.

25나노 메모리 장치에 신제품 64Gb 3bpc를 적용할 경우 경쟁이 치열한 USB, SD(Secure Digital) 플래시 카드 및 전자 제품 시장에 탁월한 비용 효율성과 높은 스토리지 용량을 갖춘 제품을 출시할 수 있다. 원래 플래시 메모리는 데이터, 사진 및 기타 멀티미디어를 저장하는 데 사용되는데, 이번 기술 개발을 통해 디지털 카메라, 휴대용 미디어 플레이어, 디지털 캠코더 등 모든 종류의 PC 및 관련 컴퓨팅 디지털 장치 사이에 데이터를 캡처하고 전송할 수 있게 된다. 고용량을 낮은 가격에 제공해야 한다는 시장의 요구 사항이 높아지는 시점에서 이번 기술은 좋은 해결점이 될 수 있을 것으로 기대하고 있다.

IMFT(IM Flash Technologies) 낸드 플래시 합작 사업을 통해 설계된 64Gb 또는 8GB 25나노 리소그래피는 기존의 1비트(SLC: Single-Level Cell) 또는 2비트(MLC: Multi-Level Cell)와 비교하여 셀당 3비트의 정보를 저장 가능하다. 업계에서는 이를 3bpc를 TLC(Triple-Level Cell)라고도 칭하고 있다.

이 장치는 인텔과 마이크론이 개발한 동일한 용량의 25나노 MLC보다 크기가 20% 이상 작은데, 25나노 MLC는 현재 생산되고 있는 가장 작은 단일 8GB 장치이다. SFF(Small Form-Factor) 플래시 메모리는 고유의 컴팩트한 디자인으로 소비자 최종 제품 플래시 카드에 특히 중요하다. 다이 크기가 131 mm2로써 업계 표준 TSOP 패키지형태로 출시될 예정이다.

인텔 부사장 겸 인텔 낸드 솔루션 그룹 총 책임자인 톰 팸폰(Tom Rampone) 은 “지난 1월 25나노 기술을 업계에서 가장 작은 다이 크기를 발표한 데 이어 바로 3중 셀로 옮겨간 인텔은 이 여세를 몰아 고객에게 업계 선두의 뛰어난 제품군을 제공하고 있다”며, “인텔은 IMFT의 뛰어난 설계 및 제조 역량을 활용하여 새로운 8GB TLC 25나노 낸드 장치를 바탕으로 한 저렴한 고밀도 제품을 고객에게 제공할 계획”이라고 밝혔다.