ST마이크로일렉트로닉스, 1200V IGBT 제품군 출시

[산업일보]
다양한 전자 애플리케이션에 걸쳐 고객들에게 기여하는 세계적인 반도체 회사 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 새로운 1200V IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor, 절연 게이트형 양극성 트랜지스터) 제품인 S 시리즈 <http://www.st.com/igbtsseries-nb>를 출시했다. 최대 8kHz(킬로헤르츠)의 스위칭 주파수에서도 최저의 결합 전도와 턴오프 손실을 구현하도록 최적화돼 무정전 전원공급 장치(UPS), 태양 발전기, 용접기, 산업용 모터 드라이브 등의 전력변환 효율성을 증대시킨다.

S 시리즈는 현재 시판 중인 1200V IGBT 중에서 포화 전압(VCE(sat))이 가장 낮기 때문에 전압 강하를 더 낮게 하고 전력 손실을 최소화해 열 관리를 간소화 할 수 있다. Vce(sat)의 정 온도 계수(positive temperature coefficient, PTC)는 파라미터가 조밀하게 정열돼 높은 전력 소모를 위해 디바이스 다수를 병렬화 하는 것도 간단하다. 또한 꺼진 상태에서는 전압 오버슛이 매우 낮고 오실레이션 값이 제로(0)로, 외부 회로를 더욱 간소화하고 부품 수도 줄일 수 있다.

새로운 IGBT 제품의 견고성과 안정성도 매우 우수하다. 접합온도150°C 조건에서 단락(short-circuit) 시간이 최소 10µs(마이크로세컨드) 수준이며 래치 업(latch-up) 없이 작동하고, 최대 동작 접합부 온도는 175°C까지 향상됐으며 넓은 안전 동작 영역(Safe Operation Area, SOA)을 확보한다.

신제품 S시리즈는 최대 8kHz의 주파수 범위에서 하드 스위칭 토폴로지용으로 이상적이며, 3세대 트렌치 게이트 필드 스톱(Trench-Gate Field-Stop, TGFS) 기술을 적용했다. 이는 20킬로헤르츠 이하, 20킬로헤르츠 초과 영역에서 각각 최적의 효율성을 구현하도록 설계된 ST의 M 시리즈 및 H 시리즈 1200V IGBT를 보완한다. 이 3개의 시리즈는 일반적인 스위칭 주파수로 작동하는 IGBT 회로를 위한 최고의 첨단, 고효율성 디바이스를 제공한다.

S 시리즈 IGBT제품들은 15A, 25A, 40A의 정격 전류를 범용이나 롱 리드(long-lead) TO-247 패키지로 제공한다. 모든 제품은 빠른 복구 시간과 높은 유연성(softness) 수준을 결합시켜 매우 낮은 EMI 및 턴-온 손실을 구현하는 신세대 통합 패키지의 프리휠링 다이오드(freewheeling diode)를 갖추고 있다.