[산업일보]
봉황망코리아는 27일 중국 IT 전문매체 콰이커지(快科技)의 보도를 인용, SMIC는 14나노 제품의 시험 생산을 마쳤으며 올 연말까지 생산 능력을 기존의 3~5배까지 도달할 것이라고 예상했다.
봉황망코리아 차이나포커스에 따르면, SMIC는 2015년부터 14nm 공정 개발을 시작해 지난해 기술 문제를 해결하면서 14nm 제조 공정을 성숙 단계로 진입시켰다. 지난해 말 기준 SMIC의 14nm 웨이퍼 생산 능력은 매월 3천~5천 장에 불과했지만 올 연말까지 최대 1만5천 장 규모로 확대할 것으로 예측했다.
SMIC는 올해 안에 7nm 시험 생산에 돌입할 계획이지만, 제품 수율(Yield, 우수한 제품이 전체 제품에서 차지하는 비율)이 기준에 도달하더라도 대규모 양산은 또 하나의 고비라는 게 중국 전문가들의 시각이다.
업계는 SMIC가 기존 14nm 공정에서 12nm 핀펫(FinFET) 공정으로 옮겨 갈 것으로 내다보고 있다. SMIC 측도 14nm 공정에서 12nm 공정으로 전환하면 트랜지스터 구조를 개선할 수 있을 뿐만 아니라 10% 이상 성능을 높이면서 소비 전력이나 발열도 줄일 수 있다는 입장을 보였다.
SMIC는 연구 개발 투자를 늘리면서 N+1 및 N+2 세대 핀펫 등 공정까지 확대할 계획이다. N+1세대 공정은 올해 안에 소규모 양산이 가능할 것이라는 전망이다. 다만, SMIC는 구체적으로 N이 어떤 공정을 지칭하는지 명확히 밝히지 않아 10nm를 뛰어넘을 가능성이 높다는 점을 고려하면 ‘N+1’세대는 7nm로 전환할 수도 있다고 진단했다.