[산업일보]
전력 반도체 제조사인 ST마이크로일렉트로닉스(이하 STM)는 자사의 2세대 독점MDmeshTM 고전압 파워 MOSFET 기술을 사용해 구축된 최초의 디바이스를 현재 양산중이라고 16일 밝혔다.
STM은 새로운 디바이스는 SMPS (Switch Mode Power Supplies), PFC (Power Factor Correction) 및 전원 어댑터에 적합하며, 1세대 MDmesh 제품에 비해 효율이 크게 증가돼 새로운 파워 컨버터 설계시 신뢰성 향상을 실현시켰다고 설명했다.
STM은 자사의 MDmesh (Multiple Drain Mesh) 기술이 대해 드레인이 수직 p 타입의 스트립을 갖춘 분할 어레이와 얇은 수평 n 타입 소스 스트립과 나란히 배치된 본체의 확장을 실행하는 드레인 구조로, 매우 낮은 온 저항 외에도 dV/dt 및 쇄도 (avalanche) 특징을 구현해 낸다고 말했다.
또 새로운 버전의 MDmesh 기술인 MDMesh II는 p 스트립 어레이가 더욱 향상돼 이전 MDmesh 버전에 비해RDS(ON) 저항 값이 최대 40% 감소되고 온도 의존성에 대한 엄격한 제어를 필요로 하지 않는다고 강조했다.
미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)
STM, 2세대 MDmesh 기술 적용한 디바이스 출시
기사입력 2005-06-17 10:21:00
