삼성전자, 반도체 역사 새롭게 쓴다

[산업일보]
삼성전자가 반도체 나노기술의 역사를 또 다시 새롭게 썼다.

황창규 삼성전자 반도체 총괄사장은 11일 신라호텔에서 기자간담회를 갖고 “반도체 기술의 한계를 극복한 신개념 ‘CTF(Charge Trap Flash)’ 라는 새로운 개념의 혁신적 낸드플래시 기술을 세계 최초로 상용화에 성공했다”고 발표했다.


CTF 기술의 핵심은, 기존의 고정관념을 바꿔 전하를 기존의 도체가 아닌 부도체 물질에 저장하는 기술을 적용했고, 타노스(TANOS) 라고 불리는 새로운 메탈게이트 구조 기술도 적용된다.

이를 통해 셀간 정보간섭을 최대한 억제할 수 있어 반도체 공정의 한계로 알려져 왔던 50나노 장벽을 허물고 40나노급 이하에서 반도체 상용화 가능성이 제시됐다.

이 기술은 단지 플래시 메모리만의 범주를 벗어나 미래 반도체 개발의 당면 과제인 ‘초미세화’, ‘고용량화’, ‘고성능화’ 등을 동시에 해결할 수 있는 차차세대 반도체 기술로 간주되고 있다.

40나노 반도체 기술은 머리카락 두께 1/3,000 정도의 초미세 기술이며, 32기가 메모리 용량은 세계 인구 65억 명의 5배에 해당하는 328억 개의 메모리 기본소자가 한 치의 오동작 없이 엄지 손톱만한 크기에 집적돼 있음을 의미하는 것으로 현존 반도체 기술 중 최첨단 기술이다.

40나노 기술로 구현될 낸드플래시 시장은, 이 기술이 시장에 본격 도입되는 '08년 이후 5년까지 약 500억 달러 규모 이상의 시장 형성이 예상되며, 오늘 발표한 CTF 기술을 20나노급까지 확대 적용할 경우, 낸드플래시 시장 창출 효과는 향후 10년간 250조원 이상이 될 것으로 전망하고 있다.

황 사장은, "이제는 반도체 회사가 반도체만을 공급해서는 고객만족에 한계가 있다“면서, ”반도체 회사는 ‘Product Provider(제품 공급자)’가 아닌 ‘Total Solution Provider(토탈 솔루션 공급자)’로 거듭나야 한다“고 역설했다.

이날 간담회에서는 32기가 낸드플래시 이외에, ‘세계 최초 혁신적 메모리 512Mb PRAM’, ‘세계 최초 신개념 하이브리드 드라이브용 SoC’ 등 올해 삼성을 대표하는 최첨단 반도체 개발 성공도 함께 발표했다.




미디어다아라 고정태 기자(jazzful@daara.co.kr)