Micron, 16-나노미터 플래시 메모리 기술 선보여 세계 최소형의 가장 진보된 반도체 프로세스 노드 Micron Technology(이하 Micron) 가 차세대 16-나노미터 프로세스 기술을 샘플링해 업계 최소형의 128-Gb MLC(Multi-Level Cell) NAND 플래시 메모리 장치를 구현하는데 성공했다.이를 통해 스토리지 기술 개발에서 Micron의 선도적인 위치가 강화됨은 물론 최고급 반도체 솔루션을 제공하게 될 것으로 기대된다. 16nm 노드는 업계 선도적인 플래시 프로세스이자 반도체 장치를 샘플링하는 데 필요한 최첨단 노드이다.Micron의 128Gb MLC NAND 플래시 메모리는 소비자 SSD, 탈착식 스토리지, 태블릿, 초박막 장치, 휴대 단말기 및 데이터 센터 클라우드 스토리지 같은 애플리케이션을 겨냥한 것이다. 신형 128Gb NAND 플래시 메모리는 제곱 밀리미터 당 가장 많은 비트 수를 제공하며 기존 MLC 장치의 비용을 크게 낮출 수 있다. 이 기술로 단일 웨이퍼 상에서 거의 6TB의 스토리지가 구현될 수 있다. Micron의 NAND Solutions Group 담당 부사장인 Glen Hawk는 “Micron의 전문 엔지니어 팀에서 꾸준히 노력한 결과 세계 최소형의 최첨단 메모리 제조기술이 탄생하게 됐다”며 “고객들은 소형 폼 팩터에 고용량을 지속적으로 요구하고 있는데, 우리는 새로운 차세대 프로세스 노드를 통해 이같은 요구를 충족시키면서 시장을 선도해 나갈 것”이라고 말했다. 시장조사 기관인 카트너는 “비용 절감은 언제나 NAND 산업의 본질적인 문제였기 때문에 플래시 프로세스 기술을 지속적으로 선도할 수 있는 기업들은 특히 수직 통합 솔루션 분야에서 성공할 것”이라고 밝혔다. 현재, Micron은 일부 파트너들과 16nm, 128Gb MLC NAND를 샘플링하고 있으며 올해 4분기부터 본격적인 생산에 들어갈 계획이다.

Micron, 16-나노미터 플래시 메모리 기술 선보여

세계 최소형의 가장 진보된 반도체 프로세스 노드

기사입력 2013-07-19 00:08:49

[산업일보]
Micron Technology(이하 Micron) 가 차세대 16-나노미터 프로세스 기술을 샘플링해 업계 최소형의 128-Gb MLC(Multi-Level Cell) NAND 플래시 메모리 장치를 구현하는데 성공했다.

이를 통해 스토리지 기술 개발에서 Micron의 선도적인 위치가 강화됨은 물론 최고급 반도체 솔루션을 제공하게 될 것으로 기대된다.

16nm 노드는 업계 선도적인 플래시 프로세스이자 반도체 장치를 샘플링하는 데 필요한 최첨단 노드이다.

Micron의 128Gb MLC NAND 플래시 메모리는 소비자 SSD, 탈착식 스토리지, 태블릿, 초박막 장치, 휴대 단말기 및 데이터 센터 클라우드 스토리지 같은 애플리케이션을 겨냥한 것이다. 신형 128Gb NAND 플래시 메모리는 제곱 밀리미터 당 가장 많은 비트 수를 제공하며 기존 MLC 장치의 비용을 크게 낮출 수 있다. 이 기술로 단일 웨이퍼 상에서 거의 6TB의 스토리지가 구현될 수 있다.

Micron의 NAND Solutions Group 담당 부사장인 Glen Hawk는 “Micron의 전문 엔지니어 팀에서 꾸준히 노력한 결과 세계 최소형의 최첨단 메모리 제조기술이 탄생하게 됐다”며 “고객들은 소형 폼 팩터에 고용량을 지속적으로 요구하고 있는데, 우리는 새로운 차세대 프로세스 노드를 통해 이같은 요구를 충족시키면서 시장을 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

시장조사 기관인 카트너는 “비용 절감은 언제나 NAND 산업의 본질적인 문제였기 때문에 플래시 프로세스 기술을 지속적으로 선도할 수 있는 기업들은 특히 수직 통합 솔루션 분야에서 성공할 것”이라고 밝혔다.

현재, Micron은 일부 파트너들과 16nm, 128Gb MLC NAND를 샘플링하고 있으며 올해 4분기부터 본격적인 생산에 들어갈 계획이다.