시스템반도체 소재 ‘국산화’로 경쟁력 강화

[산업일보]
시스템 반도체 소재 독립을 통한 경쟁력 확보를 위해서는 '국산화'가 불가피하다는 지적이다.

경기도와 한국나노기술원은 오는 2022년까지 총 30억 원을 투입, 인듐갈륨비소 에피웨이퍼 및 초고속통신소자 개발에 힘을 모으기로 했다. 도는 초고속 통신에 사용하는 시스템 반도체 소재 국산화를 추진, 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼와 이를 이용한 초고속 통신소자(HEMT) 개발에 모든 역량을 집중시킨다고 24일 밝혔다.

인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼는 갈륨비소, 실리콘웨이퍼 등 물질의 표면에 별도화합물 반도체층을 성장시킨 것으로, 현재 사용되는 실리콘 웨이퍼 보다 다양한 기능과 성능을 구현할 수 있는 시스템 반도체 소재다.

5G, 사물인터넷(IoT), 자율차 등 ‘4차 산업혁명’ 실현을 위한 핵심부품을 제작하는데 사용되는 소재인 만큼 갈수록 수요는 늘어날 것으로 예상하고 있다. 하지만, 많은 개발비용과 연구인력, 인프라 등이 요구되기 때문에, 사실상 중소기업 차원의 개발이 어려워 미국, 일본 등 해외 수입에 의존해 왔다.

도는 향후 3년간 개발비 지원을 통해 한국나노기술원이 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼 및 초고속통신소자(HEMT) 기술을 개발하도록 한 뒤 도내 중소기업과 대학, 연구소 등에 해당 기술을 제공, 시스템반도체 소재 독립 및 중소기업 매출 증대를 도모할 방침이다.

최병길 도 과학기술과장은 “해외 수입에 의존하고 있는 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼와 초고속 통신소자(HEMT)를 국산화하게 될 경우, 시스템 반도체 소재 독립을 도모할 수 있는 것은 물론 중소기업의 매출도 크게 증가할 것으로 기대된다”라며 “반도체 기술 독립을 위해 해외의존도가 높은 소재 부품의 국산화 연구 사업을 지속적으로 발굴해 나갈 것”이라고 말했다.