차세대 자성 메모리 소자, 전력소모 1/10 수준으로 감소

[산업일보]
인공지능(AI)과 빅데이터 기술이 발전할수록 처리해야 할 데이터양이 기하급수적으로 증가함에 따라 스핀-궤도 토크 소자를 이용한 고효율·초저전력 고속 자성메모리에 대한 관심이 증가하고 있다.

스핀-궤도 토크를 이용한 자성메모리 소자는 높은 안정성과 빠른 동작 속도로 활용 가능성이 높다. 하지만 소자 구동에 필요한 임계전류과 전력 소모가 높아 에너지 효율이 낮은 단점이 있다.

한국연구재단(이사장 이광복)은 부경대학교 홍지상 교수 연구팀이 2차원 WTe2/Fe3GaTe2 물질을 스핀-궤도 토크 소자로 이용해 기존 자성메모리 소자 보다 전력소모를 10분의 1로 줄인 계산 결과를 발표했다고 밝혔다.

연구팀은 2차원 자성체인 Fe3GaTe2와 비자성체 물질인 WTe2로 이루어진 이종접합 구조를 활용해 상온에서 전력소모를 획기적으로 낮출 수 있는 가능성을 이론적으로 제시했다.

연구팀은 제일원리 방법을 이용해 WTe2/Fe3GaTe2 구조의 스핀-궤도 토크 효율을 결정하는데 필요한 다양한 물리량들을 실재 온도효과까지 고려해 계산했고, 이를 통해 새로운 소자는 기존의 탄탈류(Ta) 및 백금(Pt) 기반 소자들과 비교해 상온에서 전력소모량이 10분의 1정도로 감소함을 밝혔다.

홍지상 교수는 “고효율, 저전력, 초스피드 작동 메모리 소자에 대한 요구가 증대되는 가운데 이번 연구 결과가 관련 소자 개발 연구의 이론적 근거를 제시할 것으로 기대된다”라며, “앞으로도 실험적으로 합성이 용이한 물질을 대상으로 고효율 저전력 소자 가능성을 확인하는 연구를 지속하겠다”라고 밝혔다.

홍 교수는 “최근 얼터마그넷이라는 새로운 자성물질에 대한 연구가 시작되고 있는데, 기존 물질과 다른 특이한 자성 특성을 보일 수 있는 가능성이 매우 크다고 여겨진다”며, “얼터마그넷을 이용한 스핀수송 특성에 대한 연구를 진행 할 계획”이라고 덧붙였다.