안정적 디바이스의 MDmesh기술 선보인다

[산업일보]
전력 MOSFET의 세계 선두 업체인 ST마이크로일렉트로닉스 는 650V MOSFET에 업계 최저의 온-상태 (On-State) 저항을 제공하는 업계 표준 TO-247 사이즈 패키지의 신규 디바이스를 출시함으로써, 디자이너들이 MDmesh™ V 파워 MOSFET을 활용할 수 있는 선택의 폭을 넓혔다.

ST마이크로일렉트로닉스 파워 MOSFET 사업부의 마케팅 이사인 마우리지오 주이디체 (Maurizio Giudice)는 "MDmesh V 제품군은 ST 독점의 5세대 수퍼정션 (Super-Junction) 기술과 ST의 검증된 PowerMESH™ 수직 레이아웃 기술을 통합하여 경쟁 디바이스에 비해 월등한 성능을 제공한다. 업계 최저의 다이 영역당 RDS(ON)는 어떤 패키지에서도 보다 높은 효율성을 제공한다. 디자이너들은 기존의 MOSFT 멀티-병렬 네트워크를 훨씬 적은 수의 MDmesh V 디바이스로 대체하여 전반적인 성능을 향상시키고 전체적인 크기 또한 줄일 수 있다."라고 말했다.

새롭게 출시된 신규 디바이스는 STW77N65M5이며 TO-247 패키지에 38mΩ의 RDS(ON)를 제공한다.

ST는 또한 Max247 패키지에 22mΩΩ의 RDS(ON)를 제공하는 STY112N65M5를 2010년에 출시할 계획이다.

이 디바이스들은 올해 초 MDmesh V 수퍼정션 MOSFET 기술 발표회에서 ST 로드맵의 일부로 이미 소개된 바 있다. STW77N65M5의 최대 전류는 69A 이며 현재 양산 중이다.

ST의 MDmesh V 기술은 기존의 MOSFET이나 경쟁중인 타사 수퍼정션 디바이스에 비해 유닛 영역 당 최저의 온-상태 저항을 유지한다.

전력손실을 최소화하는 이러한 월등한 성능의 이점으로는 향상된 효율성, 높은 전력 밀도와 낮은 작동 온도를 들 수 있는데 전도 손실이 전반적인 효율보다 더 많은 영향을 미치는 PC와 서버 파워 서플라이, 태양열 전환기, 용접 파워 서플라이, UPS 장비 같은 애플리케이션에서 보다 나은 신뢰성을 제공할 수 있다.

최저 온-상태 저항을 제공하는 신규 디바이스는 또한 적은 스위칭 손실을 제공함으로써 다양한 범위의 애플리케이션과 운영 환경에서 전반적인 효율성을 향상시킨다. MDmesh V 파워 MOSFET은 TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, IPAK 등 대중적인 업계 표준 패키지로 제공되고 있다.

TO-247 패키지의 STW77N65M5는 현재 주문 가능하며 천 개 이상 주문 시 대당 가격은 $10달러이다.

곽은숙기자 daara01@kidd.co.kr