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[산업일보]
인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 마티아스 루드비히)는 고전류 자동차 애플리케이션을 위해 업계 최저 RDS(on) 을 제공하는 30V 전력 MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor)을 출시했다.
신형 OptiMOS™-T2 30V MOSFET은 10V 게이트-소스 전압에서 드레인 전류 180A에 RDS(on) 이 0.9m?에 불과한 N-채널 디바이스이다. D2PAK-7 패키지로 제공되는 IPB180N03S4L-H0은 낮은 가격으로 높은 공칭 전류와 업계 최저 RDS(on) 을 제공하여 표준 패키지의 전력 MOSFET을 필요로하는 고객들의 요구를 충족한다.
전력 MOSFET을 위한 인피니언의 강력한 2세대 트렌치 기술을 기반으로 한 OptiMOS-T2 디바이스는 고전류 자동차 모터 구동 애플리케이션, EPS (electric power steering), 특히 start/stop 기능에 이상적이다.
비용과 효율성 측면에서 업계는 트렌치 기술로 전환하는 움직임을 보이고 있다. OptiMOS-T2 같은 전력 MOSFET 트렌치 기술은 이전 기술 대비 RDS(on) 과 게이트 전하를 크게 향상시킨다. 따라서 업계 최저의 FoM (figure of merit, 게이트 전하와 RDS(on) 의 곱)을 달성한다. 뿐만 아니라 인피니언의 혁신적인 고전류 “Power-bond” 기술은 MOSFET에 있어서 와이어본드의 한계점들을 해결함으로써 와이어본드의 RDS(on) 드롭을 감소시키고 전류 용량을 증가시킨다.
이는 와이어본드를 시원하게 유지함으로써 신뢰성을 향상시킨다. 최신의 Powerbond 기술은 단일 MOSFET에서 최대 4개의 더블 스티치 (double-stitch) 500?m 와이어본드를 가능하게 하여 표준 패키지로 180A 전류 정격을 허용한다.
인피니언 테크놀로지스 스탠다드 오토모티브 파워의 제품 마케팅 이사인 톨스틴 블랜크 (Torsten Blanke) 박사는 “인피니언은 OptiMOS-T2 트렌치 기술을 바탕으로, 견고한 패키지로 탁월한 성능과 뛰어난 품질을 제공하는 업계 최고의 자동차용 MOSFET 포트폴리오를 제공한다. 180A 공칭 전류의 신형 30V OptiMOS-T2 디바이스의 출시로, 인피니언은 표준 패키지로 최고 전류 용량, 트렌치 기술로 최저 RDS(on) 을 달성하여 또 다시 업계의 벤치마크를 수립하였다”고 말했다.
