50나노급 차세대 반도체 생산 제조기술 개발 50나노급의 차세대 반도체를 생산할 수 있는 초저(超低) 유전 박막 제조기술이 개발됐다. 포항공대 포항가속기연구소 이문호 박사 연구팀이 초저유전 나노기공 박막을 제조하고, 방사광 엑스선 스침각산란법을 개발해 구조와 특성을 규명했다.50나노급(1 나노는 10억분의 1 미터) 이하의 반도체 제조를 위해서는 초저유전재료가 필수적으로 요구되기 때문에 지난 10여년 동안 우리나라를 비롯한 일본, 미국 등 반도체 선진국에서 개발 연구가 치열한 경쟁 속에 전개돼 왔다.유전율은 물질별 전기용량이 진공일 때의 몇 배가 되는지를 나타내는 수치로 진공과 같을 때 1.0이다. 그러나 국내 반도체 산업에서 사용되는 산화규소 등의 소재는 3.0~8.0의 높은 유전율에 머물고 있다.개발된 나노기공 박막은 유전율을 원하는 대로 조절해 양산할 수 있어 또 하나의 주요 첨단 전자산업으로 급부상하고 있는 차세대 투과/반사 겸용 액정디스플레이 개발에도 높은 적용 가능성을 보이고 있다. 이 교수는 “앞으로 우리나라 핵심 산업인 50나노급 이하 모든 차세대 반도체 생산을 가능케 할 것으로 기대된다”고 밝혔다.이 교수의 연구 결과는 영국에서 발행되는 '네이처 머티리얼' 인터넷판에 9일자로 게재됐다.미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)$$$$$

50나노급 차세대 반도체 생산 제조기술 개발

기사입력 2005-01-10 18:40:00

개발 책임자인 이문호 박사.

[산업일보]
50나노급의 차세대 반도체를 생산할 수 있는 초저(超低) 유전 박막 제조기술이 개발됐다.

포항공대 포항가속기연구소 이문호 박사 연구팀이 초저유전 나노기공 박막을 제조하고, 방사광 엑스선 스침각산란법을 개발해 구조와 특성을 규명했다.

50나노급(1 나노는 10억분의 1 미터) 이하의 반도체 제조를 위해서는 초저유전재료가 필수적으로 요구되기 때문에 지난 10여년 동안 우리나라를 비롯한 일본, 미국 등 반도체 선진국에서 개발 연구가 치열한 경쟁 속에 전개돼 왔다.

유전율은 물질별 전기용량이 진공일 때의 몇 배가 되는지를 나타내는 수치로 진공과 같을 때 1.0이다. 그러나 국내 반도체 산업에서 사용되는 산화규소 등의 소재는 3.0~8.0의 높은 유전율에 머물고 있다.

개발된 나노기공 박막은 유전율을 원하는 대로 조절해 양산할 수 있어 또 하나의 주요 첨단 전자산업으로 급부상하고 있는 차세대 투과/반사 겸용 액정디스플레이 개발에도 높은 적용 가능성을 보이고 있다.

이 교수는 “앞으로 우리나라 핵심 산업인 50나노급 이하 모든 차세대 반도체 생산을 가능케 할 것으로 기대된다”고 밝혔다.

이 교수의 연구 결과는 영국에서 발행되는 '네이처 머티리얼' 인터넷판에 9일자로 게재됐다.

미디어다아라 김원정 기자(news@daara.co.kr)

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