플래시 기술 공급 업체인 ST마이크로일렉트로닉스(이하 STM)는 128M비드 낸드 플래시 디바이스인 낸드128W3A2BN6E의 생산을 90nm공정 기술로 이전했다고 1일 발표했다.
이 제품군의 모든 디바이스는 주소 라인 및 데이터 입/출력 신호가 8비트 버스에서 다중화돼 핀 수가 감소하고 모듈식 NAND 인터페이스 사용이 가능하다.
미디어다아라 이경옥 기자(withok2@daara.co.kr)
STM, 128M비드 낸드 플래시 칩 생산 기술 90nm로 이전
기사입력 2005-09-02 10:52:00
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[산업일보]
플래시 기술 공급 업체인 ST마이크로일렉트로닉스(이하 STM)는 128M비드 낸드 플래시 디바이스인 낸드128W3A2BN6E의 생산을 90nm공정 기술로 이전했다고 1일 발표했다.
낸드128은 90nm 기술이 적용된 유일한 128M비드 플래시 메모리로, 디지털 스틸 카메라, 오디오 레코더, PDA, 셋톱박스(STB), 프린터 및 번들형 플래시 카드 등 가격에 민감한 가전제품에 널리 사용되는 메모리 칩의 비용과 전력 소모를 모두 감소시킨다고 STM은 설명했다.
이 제품군의 모든 디바이스는 주소 라인 및 데이터 입/출력 신호가 8비트 버스에서 다중화돼 핀 수가 감소하고 모듈식 NAND 인터페이스 사용이 가능하다.
미디어다아라 이경옥 기자(withok2@daara.co.kr)
플래시 기술 공급 업체인 ST마이크로일렉트로닉스(이하 STM)는 128M비드 낸드 플래시 디바이스인 낸드128W3A2BN6E의 생산을 90nm공정 기술로 이전했다고 1일 발표했다.
이 제품군의 모든 디바이스는 주소 라인 및 데이터 입/출력 신호가 8비트 버스에서 다중화돼 핀 수가 감소하고 모듈식 NAND 인터페이스 사용이 가능하다.
미디어다아라 이경옥 기자(withok2@daara.co.kr)
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