동부하이텍-SETi, 130만화소 CIS반도체 공동 개발

[산업일보]
동부하이텍 반도체부문(대표: 오영환 사장, http://www.dongbuhitek.co.kr)과 에스이티아이(대표:이창조 사장, http//www.nice.seti.com)는 110나노급 공정기술을 이용한 130만 화소 CIS(CMOS 이미지 센서) 칩을 공동으로 개발하고, 1분기 중으로 양산에 들어갈 예정이라고 3일 밝혔다.

이번 130만 화소 CIS 칩 개발은 동부하이텍과 전략적 제휴를 맺고 있는 CIS 반도체 설계 전문회사인 에스이티아이(SETi)가 공동으로 이뤄낸 첫 성과물로 양사는 조만간 200·300·500만 화소까지의 다양한 CIS 제품을 지속적으로 개발해 공급량을 점차 늘려나가는 등 협력 관계를 더욱 강화할 계획이라고 밝혔다.

이번 CIS 개발에는 에스이티아이 R&D 인력과 동부하이텍 공정설계 인력이 함께 참여해 초기 단계에서부터 양산을 염두에 두고 반도체를 설계하고, 자체적으로 개발한 라이브러리(Library)를 설계 데이터베이스로 사용하여 보통 1년 이상 소요되는 설계 기간을 6개월로 대폭 줄일 수 있게 됐다.

동부하이텍은 향후 CIS 모듈 제작과 판매에까지 비즈니스 영역을 넓혀 매출 확대 및 수익성 제고에 역점을 기울일 계획이다.

이번 신공정 개발을 주도한 동부하이텍 황준 상무는 “최근 130나노 CIS를 본격적으로 양산하기 시작한 데 이어 이번에 110나노 CIS를 개발함으로써 1.75um x 1.75um 픽셀피치를 구현할 수 있게 돼, 선두 업체와 미세공정의 CIS 분야에서도 충분한 경쟁을 할 수 있는 기반을 마련했다.”고 밝히고, “동시에 이미지 선명도 등 CIS 화질 수준은 높게 유지하면서 칩 크기를 대폭 줄일 수 있는 신개념의 특화기술도 개발하고 있는 등 최고의 경쟁력을 갖춘 세계적인 CIS 전문회사로 발돋움하기 위해 투자를 아끼지 않을 것”이라고 강조했다.