TI, 업계 최저 저항의 MOSFET 출시 5mm x 6mm QFN 패키지 TI (대표이사 켄트 전)는 자사의 NexFET™ 제품군에 11개의 새로운 N채널 전력 MOSFET 제품을 추가한다고 밝혔다. 이들 신제품 중에서 25V CSD16570Q5B와 30V CSD17570Q5B는 핫스왑(Hot-swap) 및 오링(ORing) 애플리케이션에 적합하며 QFN 패키지로 업계에서 가장 낮은 온-저항(Rdson)을 제공한다. 이와 더불어 저전압 배터리로 구동되는 애플리케이션에 사용이 적합한 TI의 신제품 12V FemtoFET™ CSD13383F4는 극소형의 0.6mm x 1mm 패키지로 경쟁제품 대비 84%의 가장 낮은 저항 특성을 가진다. CSD16570Q5B와 CSD17570Q5B NexFET MOSFET은 높은 전류에서 더 높은 전력 변환 효율을 달성하므로 컴퓨터 서버와 통신장비 애플리케이션에서 보다 안전한 동작이 가능하다. 예를 들어 25V CSD16570Q5B는 최대 0.59mW의 저항을, 30V CSD17570Q5B는 최대 0.69mW의 저항 특성을 가진다. DC/DC 컨트롤러 애플리케이션을 위해 TI의 새로운 CSD17573Q5B 및 CSD17577Q5A를 LM27403과 함께 사용함으로써 완벽한 동기식 벅 컨버터 솔루션을 구현할 수 있다. 또한, CSD16570Q5B와 CSD17570Q5B NexFET 전력 MOSFET을 TPS24720와 같은 TI의 핫스왑 컨트롤러와 함께 사용할 수 있다. 애플리케이션 노트 ‘신뢰성있는 핫스왑 설계 (Robust Hot Swap Designs)’에서 직렬 소자로서 트랜지스터 선택 방법, 모든 가능한 조건하에 보다 안전한 동작을 위한 설계 방법에 대해 확인할 수 있다.

TI, 업계 최저 저항의 MOSFET 출시

5mm x 6mm QFN 패키지

기사입력 2015-01-22 09:01:00

[산업일보]
TI (대표이사 켄트 전)는 자사의 NexFET™ 제품군에 11개의 새로운 N채널 전력 MOSFET 제품을 추가한다고 밝혔다.

이들 신제품 중에서 25V CSD16570Q5B와 30V CSD17570Q5B는 핫스왑(Hot-swap) 및 오링(ORing) 애플리케이션에 적합하며 QFN 패키지로 업계에서 가장 낮은 온-저항(Rdson)을 제공한다.

이와 더불어 저전압 배터리로 구동되는 애플리케이션에 사용이 적합한 TI의 신제품 12V FemtoFET™ CSD13383F4는 극소형의 0.6mm x 1mm 패키지로 경쟁제품 대비 84%의 가장 낮은 저항 특성을 가진다.

CSD16570Q5B와 CSD17570Q5B NexFET MOSFET은 높은 전류에서 더 높은 전력 변환 효율을 달성하므로 컴퓨터 서버와 통신장비 애플리케이션에서 보다 안전한 동작이 가능하다. 예를 들어 25V CSD16570Q5B는 최대 0.59mW의 저항을, 30V CSD17570Q5B는 최대 0.69mW의 저항 특성을 가진다.

DC/DC 컨트롤러 애플리케이션을 위해 TI의 새로운 CSD17573Q5B 및 CSD17577Q5A를 LM27403과 함께 사용함으로써 완벽한 동기식 벅 컨버터 솔루션을 구현할 수 있다. 또한, CSD16570Q5B와 CSD17570Q5B NexFET 전력 MOSFET을 TPS24720와 같은 TI의 핫스왑 컨트롤러와 함께 사용할 수 있다. 애플리케이션 노트 ‘신뢰성있는 핫스왑 설계 (Robust Hot Swap Designs)’에서 직렬 소자로서 트랜지스터 선택 방법, 모든 가능한 조건하에 보다 안전한 동작을 위한 설계 방법에 대해 확인할 수 있다.

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김진성 기자 weekendk@kidd.co.kr

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안녕하세요~산업1부 김진성 기자입니다. 스마트공장을 포함한 우리나라 제조업 혁신 3.0을 관심깊게 살펴보고 있으며, 그 외 각종 기계분야와 전시회 산업 등에도 한 번씩 곁눈질하고 있습니다.