인피니언, 2세대 쇼트키 다이오드 출시 인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 마티아스 루드비히)는 TO-220 FullPAK 패키지로 2세대 SiC (Silicon Carbide) 쇼트키 다이오드를 출시했다. TO-220 FullPak은 2세대 ThinQ!™ SiC 쇼트키 다이오드의 높은 전기적 성능 수준과 완전 절연형 패키지의 이점을 결합한 형태로 절연 부싱 (bushing) 및 포일 (foil)을 사용할 필요 없이 간편하게 탑재할 수 있고 신뢰성도 높여준다.신형 TO-220 FullPAK 디바이스는 표준 비절연 TO-220 디바이스와 유사한 접합부와 히트싱크 사이의 열 저항 기술은 특허 기술로 확산 솔더링 기법에 의해 '칩-리드프레임' 사이의 열 저항을 크게 낮추고 FullPAK의 내부 절연 층을 효과적으로 보정한다. 인피니언은 전류 정격이 2A에서 6A에 이르는 600V FullPAK 포트폴리오를 제공하는데, 이는 600V FullPAK 타입으로 업계에서 가장 넓은 범위의 SiC 다이오드 기능을 구현하고 있다.SiC (Silicon Carbide)는 전력 반도체를 위한 혁신적인 소재로서 Si 전력 디바이스보다 훨씬 더 우수한 물리적 특성을 갖고 있어 우수한 스위칭 동작, 역 회복 없음, 온도가 스위칭 동작에 영향을 미치지 않을 뿐 아니라 -55°C~175°C 내에서도 가동된다.한편 인피니언은 업계 최초로 지난 2001년 SiC 쇼트키 다이오드를 출시한 이후 SiC 쇼트키 다이오드 기술과 관련해 서지 전류 안정성, 스위칭 성능, 제품 가격과 패키징 등 큰 개선을 이루어 왔다.

인피니언, 2세대 쇼트키 다이오드 출시

기사입력 2010-05-18 12:02:51

[산업일보]
인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 마티아스 루드비히)는 TO-220 FullPAK 패키지로 2세대 SiC (Silicon Carbide) 쇼트키 다이오드를 출시했다.

TO-220 FullPak은 2세대 ThinQ!™ SiC 쇼트키 다이오드의 높은 전기적 성능 수준과 완전 절연형 패키지의 이점을 결합한 형태로 절연 부싱 (bushing) 및 포일 (foil)을 사용할 필요 없이 간편하게 탑재할 수 있고 신뢰성도 높여준다.

신형 TO-220 FullPAK 디바이스는 표준 비절연 TO-220 디바이스와 유사한 접합부와 히트싱크 사이의 열 저항 기술은 특허 기술로 확산 솔더링 기법에 의해 '칩-리드프레임' 사이의 열 저항을 크게 낮추고 FullPAK의 내부 절연 층을 효과적으로 보정한다.

인피니언은 전류 정격이 2A에서 6A에 이르는 600V FullPAK 포트폴리오를 제공하는데, 이는 600V FullPAK 타입으로 업계에서 가장 넓은 범위의 SiC 다이오드 기능을 구현하고 있다.

SiC (Silicon Carbide)는 전력 반도체를 위한 혁신적인 소재로서 Si 전력 디바이스보다 훨씬 더 우수한 물리적 특성을 갖고 있어 우수한 스위칭 동작, 역 회복 없음, 온도가 스위칭 동작에 영향을 미치지 않을 뿐 아니라 -55°C~175°C 내에서도 가동된다.

한편 인피니언은 업계 최초로 지난 2001년 SiC 쇼트키 다이오드를 출시한 이후 SiC 쇼트키 다이오드 기술과 관련해 서지 전류 안정성, 스위칭 성능, 제품 가격과 패키징 등 큰 개선을 이루어 왔다.

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