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온세미컨덕터, 하이브리드 IGBT·절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버 공개
김우겸 기자|kyeom@kidd.co.kr
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온세미컨덕터, 하이브리드 IGBT·절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버 공개

기사입력 2019-05-02 09:26:35
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온세미컨덕터, 하이브리드 IGBT·절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버 공개

[산업일보]
온세미컨덕터가 독일에서 열리는 전시회에서 전류 성능 및 보호기능을 제공하는 다양한 IGBT 드라이버를 공개한다.

온세미컨덕터는 독일뉘른베르크에서 이달 7일개최되는 'PCIM유럽 2019'에서 새로운 실리콘카바이드(SiC) 기반의하이브리드 IGBT 및 관련 절연고전류 IGBT 게이트드라이버를 출시 및 전시할 예정이라고 2일 밝혔다.

최신 전기 자동차 어플리케이션은 차량 주행 시 에너지를 사용하지만, 경우에 따라서 피크타임시 가정에서 전력을 공급하는 데 사용될 수 있는 에너지를 저장하기도 한다. 이를 위해, 전송 도중에 에너지가 소모되지 않도록 고효율 스위칭이 필요한 양방향 충전기가 있어야 한다.

온세미컨덕터에 따르면, AFGHL50T65SQDC는 최신 필드 스톱 IGBT 및 SiC 쇼트키 다이오드 기술을 사용해 토템 폴(totem pole) 기반의 브릿지리스 PFC(Bridgeless Power Factor Correction) 및 인버터와 같은 리버스 리커버리(Reverse recovery) 손실 감소, 다중 전원 애플리케이션에서 낮은 도통 및 스위칭 손실을 제공한다.

해당 디바이스는 실리콘 기반의 IGBT와 SiC 기반의 쇼트키 배리어 다이오드가 함께 패키징 돼, 실리콘 기반 솔루션의 낮은 성능과 전체가 SiC 기반 솔루션의 높은 비용 사이의 균형을 맞춘다는 게 회사 측 설명이다.

한편, 온세미컨덕터는 하이브리드 IGBT 외에도 PCIM에서 새로운 영역의 절연 고전류 IGBT 드라이버를 발표하고 공개하기로 했다.

국제산업부 김우겸 기자입니다. 산업인들을 위한 글로벌 산업 트렌드와 현안 이슈에 대해 정확하면서도 신속히 보도하겠습니다.


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